[發(fā)明專利]半導體激光裝置及其制造方法、光傳輸模塊和光盤設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710096023.7
• 申請日: 2007-04-10
• 公開（公告）號: CN101055970A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蛭川秀一;岸本克彥
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01S5/10;H01S5/343
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體激光裝置的制造方法，所述半導體激光裝置至少包括具有用于發(fā)射激光的諧振腔端面與反射控制膜的半導體激光元件，所述方法包括：

激光器晶片形成步驟，形成至少具有半導體層以形成諧振腔端面的激光器晶片；

解理步驟，在空氣中解理所述激光器晶片并形成具有所述諧振腔端面的半導體激光元件；

接觸步驟，將所述諧振腔端面與含氮氣90-100體積％的含氮氣氣體接觸至少一個小時；以及

反射控制膜形成步驟，形成與所述諧振腔端面接觸的反射控制膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導體激光裝置制造方法，其中在所述反射控制膜形成步驟中，所述反射控制膜是在所述諧振腔端面被加熱的狀態(tài)下形成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導體激光裝置制造方法，其中在所述諧振腔端面溫度設(shè)定為200至300℃的范圍內(nèi)執(zhí)行所述加熱。

4.一種通過根據(jù)權(quán)利要求1至3任何一項的半導體激光裝置制造方法得到的半導體激光裝置，其中氮原子存在于所述諧振腔端面與所述反射控制膜之間的界面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導體激光裝置，其中在所述諧振腔端面處形成激光發(fā)射區(qū)域的材料至少包括Ga。

6.一種光傳輸模塊，所述光傳輸模塊使用通過根據(jù)權(quán)利要求1至3任何一項的半導體激光裝置制造方法得到的半導體激光裝置或者使用根據(jù)權(quán)利要求4或5的半導體激光裝置。

7.一種光盤設(shè)備，所述光盤設(shè)備使用通過根據(jù)權(quán)利要求1至3任何一項的半導體激光裝置制造方法得到的半導體激光裝置或者使用根據(jù)權(quán)利要求4或5的半導體激光裝置。