[發(fā)明專利]橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710096017.1
• 申請(qǐng)日: 2007-04-10
• 公開（公告）號(hào): CN101286528A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李治華;李健維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，包含有：

半導(dǎo)體基底，其具有第一導(dǎo)電型式；

第一井區(qū)，其具有第二導(dǎo)電型式，設(shè)置于部分該半導(dǎo)體基底之中；

隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于部分該第一井區(qū)的上半部；

漏極區(qū)域，設(shè)置于該隔離結(jié)構(gòu)一側(cè)的該第一井區(qū)之中；

第二井區(qū)，設(shè)置于該隔離結(jié)構(gòu)相對(duì)于該漏極區(qū)域的另一側(cè)的部分半導(dǎo)體基底之中，且該第二井區(qū)具有該第一導(dǎo)電型式；

源極區(qū)域，設(shè)置于第二井區(qū)之中；以及

具有該第一導(dǎo)電型式的深摻雜區(qū)，設(shè)置于該第一井區(qū)的下半部與該半導(dǎo)體基底的交界處，其中該深摻雜區(qū)為重度摻雜，且部分該深摻雜區(qū)位于該第一井區(qū)的下半部之內(nèi)，而部分該深摻雜區(qū)位于該半導(dǎo)體基底之中。

2.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，其中該隔離結(jié)構(gòu)的下半部為該第一井區(qū)所環(huán)繞。

3.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，另包含有柵極介電層，設(shè)置于該隔離結(jié)構(gòu)與該源極區(qū)域之間的半導(dǎo)體基底的表面，以及柵極電極，設(shè)置于柵極介電層與部分該隔離結(jié)構(gòu)之上。

4.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，另包含有具有該第一導(dǎo)電型式的摻雜區(qū)，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底之中并包含該源極區(qū)域，以及接觸區(qū)，設(shè)置于該摻雜區(qū)之中。

5.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，另包含有具有該第一導(dǎo)電型式的淺摻雜區(qū)，設(shè)置于該隔離結(jié)構(gòu)下方的該第一井區(qū)之內(nèi)。

6.如權(quán)利要求5所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，其中該淺摻雜區(qū)為重度摻雜。

7.如權(quán)利要求5所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，其中該淺摻雜區(qū)約略對(duì)應(yīng)于其上方的該隔離結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，其中該第一導(dǎo)電型式為P型，而該第二導(dǎo)電型式為N型。

9.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件，其中該隔離結(jié)構(gòu)包含有場(chǎng)氧化層。

10.一種制作橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體元件的方法，包含有：

提供具有第一導(dǎo)電型式的半導(dǎo)體基底；

于該半導(dǎo)體基底之中形成具有第二導(dǎo)電型式的第一井區(qū)；

于部分該第一井區(qū)的表面形成隔離結(jié)構(gòu)；

于該隔離結(jié)構(gòu)一側(cè)的半導(dǎo)體基底之中形成具有該第一導(dǎo)電型式的第二井區(qū)；以及

于該第一井區(qū)與該半導(dǎo)體基底的交界處形成具有該第一導(dǎo)電型式的深摻雜區(qū)，其中該深摻雜區(qū)為重度摻雜，且部分該深摻雜區(qū)位于該第一井區(qū)的下半部之內(nèi)，而部分該深摻雜區(qū)位于該半導(dǎo)體基底之中。

11.如權(quán)利要求1?0所述的方法，另包含有于形成該深摻雜區(qū)之后，在該隔離結(jié)構(gòu)的表面形成柵極電極的步驟。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，另包含有于形成該柵極電極之后，在該第一井區(qū)之中形成漏極區(qū)域，以及于第二井區(qū)之中形成源極區(qū)域的步驟。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，另包含有于該第一井區(qū)之中形成具有該第一導(dǎo)電型式的淺摻雜區(qū)的步驟。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該淺摻雜區(qū)為重度摻雜。

15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中第一導(dǎo)電型式為P型，而第二導(dǎo)電型式為N型。