[發(fā)明專(zhuān)利]全息記錄材料、全息記錄介質(zhì)和全息記錄方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710095844.9 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101281760A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉沢久江;三鍋治郎;小笠原康裕;河野克典;林和廣;安田晉;羽賀浩一;古木真 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 富士施樂(lè)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11B7/24 | 分類(lèi)號(hào): | G11B7/24;G11B7/0065 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 丁香蘭;謝栒 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 全息 記錄 材料 介質(zhì) 方法 | ||
1.?一種用于至少通過(guò)光照射來(lái)記錄信息的全息記錄材料,所述全息記錄材料包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和平均粒徑為所述信息的記錄中使用的光的波長(zhǎng)的十分之一以下的顆粒。
2.?如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料,其中,所述記錄材料中的所述液晶分子的含量為5重量%以上。
3.?如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料,其中,所述光響應(yīng)性分子是光響應(yīng)性聚合物。
4.?如權(quán)利要求3所述的全息記錄材料,其中,所述光響應(yīng)性聚合物在側(cè)鏈中具有包含偶氮苯骨架的可光異構(gòu)化基團(tuán)。
5.?如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料,其中,所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.01重量%以上。
6.?如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料,其中,所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.1重量%~5重量%。
7.?如權(quán)利要求1所述的全息記錄材料,其中,所述顆粒的材料是二氧化硅、金屬氧化物或樹(shù)脂。
8.?一種用于至少通過(guò)光照射來(lái)記錄信息的全息記錄介質(zhì),所述全息記錄介質(zhì)包含含有全息記錄材料的記錄層,所述全息記錄材料包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和平均粒徑為所述信息的記錄中使用光的波長(zhǎng)的十分之一以下的顆粒。
9.?如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì),其中,所述記錄材料中的所述液晶分子的含量為5重量%以上。
10.?如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì),其中,所述光響應(yīng)性分子是光響應(yīng)性聚合物。
11.?如權(quán)利要求10所述的全息記錄介質(zhì),其中,所述光響應(yīng)性聚合物在側(cè)鏈中具有包含偶氮苯骨架的可光異構(gòu)化基團(tuán)。
12.?如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì),其中,所述顆粒與所述液晶分子的比率為0.01重量%以上。
13.?如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì),其中,所述顆粒與所述液晶分子的比率是0.1重量%~5重量%。
14.?如權(quán)利要求8所述的全息記錄介質(zhì),其中,所述顆粒的材料是二氧化硅、金屬氧化物或樹(shù)脂。
15.?一種全息記錄方法,所述全息記錄方法包括:
當(dāng)同時(shí)向全息記錄介質(zhì)照射信號(hào)光和參考光來(lái)記錄信息時(shí),通過(guò)使用光強(qiáng)度調(diào)制或光偏振調(diào)制中的至少一種進(jìn)行所述信息的多重記錄,
所述全息記錄介質(zhì)具有包含光響應(yīng)性分子、液晶分子和顆粒的記錄層,而且
所述顆粒的平均粒徑為所述信號(hào)光的波長(zhǎng)的十分之一以下。
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G11B 基于記錄載體和換能器之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而實(shí)現(xiàn)的信息存儲(chǔ)
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G11B7-002 .按載體形狀區(qū)分的記錄、重現(xiàn)或抹除系統(tǒng)
G11B7-004 .記錄、重現(xiàn)或抹除方法;為此所用的讀、寫(xiě)或抹除電路
G11B7-007 .記錄載體上信息的排列,例如,軌跡的形式
G11B7-08 .傳感頭或光源相對(duì)于記錄載體的配置或安裝
G11B7-12 .換能頭,例如光束點(diǎn)的形成或光束的調(diào)制





