[發明專利]硅片背面單片刻蝕設備

無效

• 申請號: 200710094574.X
• 申請日: 2007-12-17
• 公開（公告）號: CN101465270A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 潘嘉;王明琪;劉須電
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/306;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1、一種硅片背面單片刻蝕設備，包括控制器，其特征在于，還包括終點檢知裝置，該終點檢知裝置包含光源發射器、反射光接收傳感器和信號處理系統，

所述光源發射器向硅片背面發射光線；

所述反射光接收傳感器用于接收硅片背面不同介質膜發出的針對發射光線的反射光線，并將該反射光線的信息傳遞給信號處理系統；

所述信號處理系統根據反射光線信息確定終點檢測結果，并將該終點檢測結果傳遞給控制器，以控制藥液的刻蝕過程停在不同介質膜的分界處。

2、如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述反射光接收傳感器將接收的反射光線的信息轉換成電流信號后傳遞給信號處理系統。

3、如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述信號處理系統根據反射光線光強差相對模擬信號波形的變化趨勢確定終點檢測結果。

4、如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述光源發射器為激光發射器。