[發(fā)明專利]獲得刻蝕工藝試片線寬的方法及刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094570.1
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101459048A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發(fā)明（設計）人: 陳海華;馬擎天;黃怡;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/308;H01L21/3065
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 李 麗

1.一種獲得刻蝕工藝試片線寬的方法，其特征在于，包括：

提供試片，在所述試片上具有光刻膠圖案；

執(zhí)行刻蝕工藝，將光刻膠圖案轉移到其相應的試片中，在試片中形成刻蝕圖形；

測量所述刻蝕圖形線寬，獲得去除光刻膠圖案前刻蝕圖形線寬；

將所述去除光刻膠圖案前刻蝕圖形線寬輸入去除光刻膠圖案前刻蝕圖形線寬與去除光刻膠圖案后刻蝕圖形線寬的函數(shù)關系中，獲得光刻膠圖案去除后刻蝕圖形的線寬；

其中，獲得去除光刻膠圖案前刻蝕圖形線寬與去除光刻膠圖案后刻蝕圖形的線寬的函數(shù)關系的步驟如下：

提供至少兩個具有光刻膠圖案的試片，在不同的試片上的光刻膠圖案的線寬不同；

通過刻蝕工藝將每一試片上的光刻膠圖案轉移到其相應的試片中，在試片中形成刻蝕圖形；

測量每一試片中的刻蝕圖形線寬，獲得去除光刻膠圖案前試片中刻蝕圖形的線寬；

去除每一試片上的光刻膠圖案；

測量去除光刻膠圖案后每一試片中的刻蝕圖形線寬；

擬合去除光刻膠圖案前每一試片中刻蝕圖形線寬與去除光刻膠圖案后相應的刻蝕圖形線寬之間的函數(shù)關系。

2.如權利要求1所述的獲得刻蝕工藝試片線寬的方法，其特征在于：測量所述刻蝕圖形線寬的方法為光學關鍵尺寸檢測法。

3.如權利要求1所述的獲得刻蝕工藝試片線寬的方法，其特征在于：測量每一試片中的刻蝕圖形線寬的方法為光學關鍵尺寸檢測法。

4.如權利要求1所述的獲得刻蝕工藝試片線寬的方法，其特征在于：用光學關鍵尺寸檢查法或電子掃描顯微鏡測量去除光刻膠圖案后每一試片中的刻蝕圖形線寬。

5.如權利要求1所述的獲得刻蝕工藝試片線寬的方法，其特征在于：所述擬合為線性擬合。

6.如權利要求1至5任一權利要求所述的獲得刻蝕工藝試片線寬的方法，其特征在于：所述刻蝕工藝為干法刻蝕。

7.一種刻蝕方法，其特征在于，包括：

提供半導體晶片，在所述半導體晶片上具有光刻膠圖案；

執(zhí)行刻蝕工藝，將光刻膠圖案轉移到其相應的半導體晶片中，在半導體晶片中形成刻蝕圖形；

測量所述刻蝕圖形線寬；

將所述刻蝕圖形線寬輸入去除光刻膠圖案前刻蝕圖形線寬與去除光刻膠圖案后刻蝕圖形線寬的函數(shù)關系中，獲得光刻膠圖案去除后刻蝕圖形的線寬；

將獲得的去除光刻膠圖案后刻蝕圖形的線寬與目標線寬進行比較，并將比較結果反饋至刻蝕的步驟，對刻蝕工藝參數(shù)進行調整；

其中，獲得去除光刻膠圖案前刻蝕圖形線寬與光刻膠圖案去除后刻蝕圖形的線寬的函數(shù)關系的步驟如下：

提供至少兩個具有光刻膠圖案的半導體晶片，在不同的半導體晶片上的光刻膠圖案的線寬不同；

通過刻蝕工藝將每一半導體晶片上的光刻膠圖案轉移到其相應的半導體晶片中，在半導體晶片中形成刻蝕圖形；

測量每一半導體晶片中的刻蝕圖形線寬，獲得去除光刻膠圖案前半導體晶片中刻蝕圖形的線寬；

去除每一半導體晶片上的光刻膠圖案；

測量去除光刻膠圖案后每一半導體晶片中的刻蝕圖形線寬；

擬合去除光刻膠圖案前每一半導體晶片中的刻蝕圖形線寬與去除光刻膠圖案后相應的刻蝕圖形的線寬之間的函數(shù)關系。

8.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：測量所述刻蝕圖形線寬的方法為光學關鍵尺寸檢測法。

9.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：測量每一半導體晶片中的刻蝕圖形線寬的方法為光學關鍵尺寸檢測法。

10.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：用光學關鍵尺寸檢查法或電子掃描顯微鏡測量去除光刻膠圖案后每一半導體晶片中的刻蝕圖形線寬。

11.如權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于：所述擬合為線性擬合。