[發(fā)明專利]鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法及鎢插塞的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710094561.2 | 申請日: | 2007-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN101456153A | 公開(公告)日: | 2009-06-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李健;鄧永平 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | B24B29/00 | 分類號: | B24B29/00;B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 李 麗 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué) 機(jī)械 研磨 方法 鎢插塞 制造 | ||
1、一種鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,包括:
提供具有介質(zhì)層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),在所述介質(zhì)層中具有開口,在所述開口中和介質(zhì)層上依次具有金屬阻擋層和鎢金屬層;
執(zhí)行第一階段化學(xué)機(jī)械研磨,去除所述介質(zhì)層上的部分厚度的鎢金屬層;
執(zhí)行第二階段化學(xué)機(jī)械研磨,去除所述介質(zhì)層上剩余的鎢金屬層和金屬阻擋層;
執(zhí)行第三階段化學(xué)機(jī)械研磨,去除部分厚度的介質(zhì)層。
2、如權(quán)利要求1所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:所述第一階段化學(xué)機(jī)械研磨、第二階段化學(xué)機(jī)械研磨和第三階段化學(xué)機(jī)械研磨在不同或相同的研磨盤上進(jìn)行。
3、如權(quán)利要求1所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:執(zhí)行第一階段化學(xué)機(jī)械研磨時,通過時間控制所述介質(zhì)層上剩余的鎢金屬層的厚度。
4、如權(quán)利要求3所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:完成第一階段化學(xué)機(jī)械研磨后,所述介質(zhì)層上剩余的鎢金屬層的厚度為該第一階段化學(xué)機(jī)械研磨前鎢金屬層的厚度的六分之一至十五分之四。
5、如權(quán)利要求1至4任一權(quán)利要求所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:所述第一階段化學(xué)機(jī)械研磨的研磨液為W2585。
6、如權(quán)利要求5所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:所述第一階段化學(xué)機(jī)械研磨的時間為35至45s。
7、如權(quán)利要求5所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:所述第二階段化學(xué)機(jī)械研磨的研磨液與第一階段化學(xué)機(jī)械研磨的研磨液相同。
8、如權(quán)利要求1所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:所述第三階段化學(xué)機(jī)械研磨的時間為5至15s。
9、如權(quán)利要求1所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:所述金屬阻擋層為鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭中的一種或組合。
10、如權(quán)利要求1所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于:在所述介質(zhì)層上、金屬阻擋層下還具有硬掩模層,在完成第二階段化學(xué)機(jī)械研磨后、執(zhí)行第三階段化學(xué)機(jī)械研磨之前,執(zhí)行去除硬掩模層的研磨工藝。
11、如權(quán)利要求1所述的鎢化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,進(jìn)一步包括:完成第三階段化學(xué)機(jī)械研磨后,對所述半導(dǎo)體襯底的表面進(jìn)行清洗。
12、一種鎢插塞的制造方法,其特征在于,包括:
提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上具有介質(zhì)層;
在所述介質(zhì)層中形成接觸孔;
在所述接觸孔中和介質(zhì)層上形成金屬阻擋層;
在所述金屬阻擋層上形成鎢金屬層;
執(zhí)行第一階段化學(xué)機(jī)械研磨,去除所述介質(zhì)層上的部分厚度的鎢金屬層;
執(zhí)行第二階段化學(xué)機(jī)械研磨,去除所述介質(zhì)層上剩余的鎢金屬層和金屬阻擋層;
執(zhí)行第三階段化學(xué)機(jī)械研磨,去除部分厚度的介質(zhì)層。
13、如權(quán)利要求12所述的鎢插塞的制造方法,其特征在于:執(zhí)行第一階段化學(xué)機(jī)械研磨時,通過時間控制所述介質(zhì)層上剩余的鎢金屬層的厚度。
14、如權(quán)利要求13所述的鎢插塞的制造方法,其特征在于:完成第一階段化學(xué)機(jī)械研磨后,所述介質(zhì)層上剩余的鎢金屬層的厚度為該第一階段化學(xué)機(jī)械研磨前鎢金屬層的厚度的六分之一至十五分之四。
15、如權(quán)利要求12至14任一權(quán)利要求所述的鎢插塞的制造方法,其特征在于:所述第一階段化學(xué)機(jī)械研磨的研磨液為W2585。
16、如權(quán)利要求15所述的鎢插塞的制造方法,其特征在于:所述第一階段化學(xué)機(jī)械研磨的時間為35至45s。
17、如權(quán)利要求15所述的鎢插塞的制造方法,其特征在于:所述第二階段化學(xué)機(jī)械研磨的研磨液與第一階段化學(xué)機(jī)械研磨的研磨液相同。
18、如權(quán)利要求12所述的鎢插塞的制造方法,其特征在于:所述第三階段化學(xué)機(jī)械研磨的時間為5至15s。
19、如權(quán)利要求12所述的鎢插塞的制造方法,其特征在于:所述金屬阻擋層為鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭中的一種或組合。
20、如權(quán)利要求12所述的鎢插塞的制造方法,其特征在于,進(jìn)一步包括:
在形成接觸孔之前在介質(zhì)層上形成硬掩模層;
并在在完成第二階段化學(xué)機(jī)械研磨后,第三階段化學(xué)機(jī)械研磨之前,執(zhí)行去除硬掩模層的研磨工藝。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,未經(jīng)中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710094561.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 化學(xué)處理方法和化學(xué)處理裝置
- 基礎(chǔ)化學(xué)數(shù)字化學(xué)習(xí)中心
- 化學(xué)處理方法和化學(xué)處理裝置
- 化學(xué)清洗方法以及化學(xué)清洗裝置
- 化學(xué)強(qiáng)化組合物、化學(xué)強(qiáng)化方法及化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)天平(無機(jī)化學(xué))
- 電化學(xué)裝置的化學(xué)配方
- 化學(xué)強(qiáng)化方法、化學(xué)強(qiáng)化裝置和化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)強(qiáng)化方法及化學(xué)強(qiáng)化玻璃
- 化學(xué)打尖方法和化學(xué)組合物





