[發(fā)明專利]刻蝕方法和雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710094541.5 | 申請日： | 2007-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN101459074A | 公開（公告）日： | 2009-06-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫武;王新鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 董立閩;李 麗 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 刻蝕 方法 鑲嵌 結(jié)構(gòu) 形成 | ||
1.一種刻蝕方法，其特征在于，包括步驟：
提供襯底，且在所述襯底上具有介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層上定義刻蝕圖形，所述介質(zhì)層為黑鉆石層；
利用第一刻蝕氣體對所述介質(zhì)層進(jìn)行第一刻蝕；
利用第二刻蝕氣體對所述介質(zhì)層進(jìn)行第二刻蝕，且所述第二刻蝕氣體產(chǎn)生的聚合物少于第一刻蝕氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第一刻蝕氣體包含C4F8和O2。
3.如權(quán)利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于：所述C4F8和O2的流量比在4∶1至2∶1之間。
4.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第二刻蝕氣體包含C4F8和O2。
5.如權(quán)利要求4所述的刻蝕方法，其特征在于：所述C4F8和O2的流量比在3∶2至1∶1之間。
6.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第一刻蝕氣體與第二刻蝕氣體中包括CH2F2。
7.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第一刻蝕氣體與第二刻蝕氣體中包括氬氣。
8.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第一刻蝕與第二刻蝕的功率在2000至2500W之間。
9.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第一刻蝕與第二刻蝕的腔室壓力在20至80mTorr之間。
10.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于：所述第一刻蝕的刻蝕時(shí)間與第二刻蝕的刻蝕時(shí)間比在1∶2至2∶1之間。
11.一種雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括步驟：
提供襯底；?
在所述襯底上形成刻蝕停止層；
在所述刻蝕停止層上形成第一介質(zhì)層；
在所述第一介質(zhì)層上形成通孔圖形；
利用第一刻蝕氣體對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行第一刻蝕；
利用第二刻蝕氣體對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行第二刻蝕，以形成通孔，且所述第二刻蝕氣體產(chǎn)生的聚合物少于第一刻蝕氣體；
在所述第一介質(zhì)層上及通孔內(nèi)形成第二介質(zhì)層；
在所述第二介質(zhì)層上形成溝槽圖形；
刻蝕形成與至少一個(gè)通孔相連的溝槽。
12.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一介質(zhì)層為黑鉆石層。
13.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蝕氣體包含C4F8和O2。
14.如權(quán)利要求13所述的形成方法，其特征在于：所述C4F8和O2的流量比在4∶1至2∶1之間。
15.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第二刻蝕氣體包含C4F8和O2。
16.如權(quán)利要求15所述的形成方法，其特征在于：所述C4F8和O2的流量比在3∶2至1∶1之間。
17.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蝕氣體與第二刻蝕氣體中包括CH2F2。
18.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蝕氣體與第二刻蝕氣體中包括氬氣。
19.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蝕與第二刻蝕時(shí)的功率在2000至2500W之間。
20.如權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第一刻蝕與第二刻蝕時(shí)腔室的壓力在20至80mTorr之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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