[發(fā)明專利]排氣系統(tǒng)及晶片熱處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094538.3
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101459042A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李春龍;趙星;宋海
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/324;C23C16/44;C30B25/14;F27D7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 董立閩;李 麗

1.一種排氣系統(tǒng)，包括排氣通路，在所述排氣通路上依次連接有第一氣體冷卻裝置和壓力控制裝置，其特征在于：在所述第一氣體冷卻裝置與所述壓力控制裝置之間的所述排氣通路上還連接有第二氣體冷卻裝置，且所述第一氣體冷卻裝置與所述第二氣體冷卻裝置之間的排氣通路、及壓力控制裝置還通過排水管與排水裝置相連。

2.如權(quán)利要求1所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于：所述壓力控制裝置利用排水分管單獨(dú)連接至所述排水裝置。

3.如權(quán)利要求1或2所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于：所述第一氣體冷卻裝置與所述第二氣體冷卻裝置利用排水管共同連接至所述排水裝置。

4.如權(quán)利要求1或2所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于：所述排氣系統(tǒng)與低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備的爐管相連。

5.如權(quán)利要求4所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于：所述排氣系統(tǒng)排出的氣體包括1，2-二氯乙烷及水蒸汽。

6.如權(quán)利要求5所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于：所述壓力控制器利用活塞實(shí)現(xiàn)自動(dòng)壓力控制。

7.一種晶片熱處理裝置，包括處理室，供氣系統(tǒng)及排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括與處理室相連的排氣通路，在所述排氣通路上依次連接有第一氣體冷卻裝置和壓力控制裝置，其特征在于：在所述第一氣體冷卻裝置與所述壓力控制裝置之間的所述排氣通路上還連接有第二氣體冷卻裝置，且所述第一氣體冷卻裝置與所述第二氣體冷卻裝置之間的排氣通路、以及壓力控制裝置還通過排水管與排水裝置相連。

8.如權(quán)利要求7所述的晶片熱處理裝置，其特征在于：所述壓力控制裝置利用排水分管單獨(dú)連接至所述排水裝置。

9.如權(quán)利要求7或8所述的晶片熱處理裝置，其特征在于：所述第一氣體冷卻裝置與所述第二氣體冷卻裝置利用排水主管連接至所述排水裝置。

10.如權(quán)利要求7或8所述的晶片熱處理裝置，其特征在于：晶片熱處理裝置為低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

11.如權(quán)利要求10所述的晶片熱處理裝置，其特征在于：所述低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備的排氣系統(tǒng)排出的氣體包括1，2-二氯乙烷及水蒸汽。

12.如權(quán)利要求11所述的晶片熱處理裝置，其特征在于：所述壓力控制器利用活塞實(shí)現(xiàn)自動(dòng)壓力控制。