[發明專利]具有擴展性的RFCMOS模型的參數計算方法

有效

• 申請號: 200710094514.8
• 申請日: 2007-12-14
• 公開（公告）號: CN101458722A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 武潔;李平梁
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 平

1.一種RFCMOS模型的參數計算方法，所述RFCMOS模型在BSIM3v3模型中的MOS場效應管的基礎上增加了支電路，所述支電路包括柵極的寄生電阻、源極的寄生電阻、漏極的寄生電阻和襯底網絡，所述襯底網絡包括源極和襯底間的寄生二極管、漏極和襯底間的寄生二極管、源極和襯底間的耦合電阻、漏極和襯底間的耦合電阻、襯底的耦合電阻，其特征是：所述柵極的寄生電阻、源極和襯底間的寄生二極管、漏極和襯底間的寄生二極管、源極和襯底間的耦合電阻、漏極和襯底間的耦合電阻、襯底的耦合電阻均由可變參數計算得出，所述可變參數至少包括晶體管溝道長度、溝道寬度或并聯柵極數中的一個；

柵極的寄生電阻其中Rgsqr為R_G的方塊電阻，ρ_c為單位面積的接觸孔電阻；

源極和襯底間的耦合電阻其中Rsbw為R_SB的方塊電阻；

漏極和襯底間的耦合電阻其中Rdbw為R_DB的方塊電阻；

襯底的耦合電阻其中Rdsbw為R_DSB的方塊電阻；

所述L為晶體管溝道長度，W為晶體管溝道寬度，nf為晶體管并聯柵極數。

2.根據權利要求1所述的RFCMOS模型的參數計算方法，其特征是：所述源極的寄生電阻和漏極的寄生電阻均由BSIM3v3模型的參數Rdsw計算得出，參數Rdsw表示單位寬度的源漏寄生電阻。

3.根據權利要求1所述的RFCMOS模型的參數計算方法，其特征是：

源極位于兩個相鄰柵極之間的個數nsd_in的二進制數形式xnsd_in＝[(xnf+1)＞＞1]-1；

漏極位于兩個相鄰柵極之間的個數ndd_in的二進制數形式xndd_in＝xnf＞＞1；

漏極位于器件最外側的個數ndd_out的二進制數形式xndd_out＝xnf&1；

源極位于器件最外側的個數nsd_out的二進制數形式xnsd_out＝2-(xnf&1)，其中&運算符表示二進制數的與運算；

所述xnf表示nf的二進制數形式，其中＞＞運算符表示將二進制數右移，左邊的空位由0彌補。

4.根據權利要求3所述的RFCMOS模型的參數計算方法，其特征是：

源極和襯底間的寄生二極管的有源區一側周長dsb_perim_locos＝4×hdif×nsd_in+nsd_out×(4×hdif+W)，其中hdif為BSIM3v3模型的參數，參數hdif表示接觸孔中心到柵極邊緣的距離；

源極和襯底間的寄生二極管的柵極一側周長dsb_perim_gate＝(2×nsd_in+nsd_out)×W；

源極和襯底間的寄生二極管的PN結底面面積dsb_area＝2×hdif×W×(nsd_in+nsd_out)；

源極和襯底間的寄生二極管的源極飽和電流js_sb＝dsb_area×js+dsb_perim_locos×jsw，其中js和jsw都是BSIM3v3模型的參數，參數js表示源極或漏極PN結底面單位面積飽和電流，參數jsw表示側壁飽和電流密度；

源極和襯底間的寄生二極管的源極底面零偏壓結電容cj_sb＝dsb_area×cj，其中cj是BSIM3v3模型的參數，參數cj表示PN結單位面積的底面零偏壓結電容；

源極和襯底間的寄生二極管的源極側壁零偏壓結電容cjsw_sb＝(dsb_perim_locos×cjsw+dsb_perim_gate×cjswg)，其中cjsw和cjswg都是BSIM3v3模型的參數；參數cjsw表示源極或漏極單位長度的側壁在有源區一側的零偏壓結電容，參數cjswg表示源極或漏極單位長度的側壁在柵極一側的零偏壓結電容。

5.根據權利要求3所述的RFCMOS模型的參數計算方法，其特征是：

漏極和襯底間的寄生二極管的有源區一側周長ddb_perim_locos＝4×hdif×ndd_in+ndd_out×(4×hdif+W)，其中hdif為BSIM3v3模型的參數，參數hdif表示接觸孔中心到柵極邊緣的距離；

漏極和襯底間的寄生二極管的柵極一側周長ddb_perim_gate＝(2×ndd_in+ndd_out)×W；

漏極和襯底間的寄生二極管的PN結底面面積ddb_area＝2×hdif×W×(ndd_in+ndd_out)；

漏極和襯底間的寄生二極管的漏極飽和電流js_db＝ddb_area×js+ddb_perim_locos×jsw，其中js和jsw都是BSIM3v3模型的參數，參數js表示源極或漏極PN結底面單位面積飽和電流，參數jsw表示側壁飽和電流密度；

漏極和襯底間的寄生二極管的漏極底面零偏壓結電容cj_db＝ddb_area×cj，其中cj是BSIM3v3模型的參數，參數cj表示PN結單位面積的底面零偏壓結電容；

漏極和襯底間的寄生二極管的漏極側壁零偏壓結電容cjsw_db＝(ddb_perim_locos×cjsw+ddb_perim_gate×cjswg)，其中cjsw和cjswg都是BSIM3v3模型的參數；參數cjsw表示源極或漏極單位長度的側壁在有源區一側的零偏壓結電容，參數cjswg表示源極或漏極單位長度的側壁在柵極一側的零偏壓結電容。