[發明專利]分柵閃存的浮柵制造方法無效
| 申請號： | 200710094512.9 | 申請日： | 2007-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN101459065A | 公開（公告）日： | 2009-06-17 |
| 發明（設計）人： | 賈曉宇;金勤海 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 閃存 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種分柵閃存的浮柵制造方法，其特征在于，包括：
(1)在襯底(201)表面熱氧化一層柵氧化層(202)，隨后在所述柵氧化層(202)上沉積一層多晶硅(203)，然后涂上光刻膠(204)；
(2)借助光刻膠(204)作為掩模，對所述多晶硅203進行各向同性的干法刻蝕，在所述多晶硅(203)上形成浮柵的碗形凹槽；
(3)對所述多晶硅(203)進行摻雜；
(4)在摻雜后的多晶硅(203)上淀積一層二氧化硅(205)；
(5)對所述二氧化硅(205)進行干法回蝕，去除位于所述碗形凹槽外部的二氧化硅(205)；
(6)利用自對準干法刻蝕，去掉未被所述二氧化硅(205)覆蓋的多晶硅(203)。
2、根據權利要求1所述分柵閃存的浮柵制造方法，其特征在于，所述所述柵氧化層(202)的厚度為
3、根據權利要求1或2所述分柵閃存的浮柵制造方法，其特征在于，所述多晶硅(203)的厚度為
4、根據權利要求1所述分柵閃存的浮柵制造方法，其特征在于，所述二氧化硅(205)的厚度為
5、根據權利要求4所述分柵閃存的浮柵制造方法，其特征在于，所述二氧化硅(205)的厚度為
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
