[發明專利]通孔形成方法

有效

• 申請號: 200710094499.7
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101459122A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 韓秋華;何德飚;韓寶東
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李 麗

1.一種半導體器件通孔形成方法，其特征在于，包括：

在半導體基底上形成接觸層，所述半導體基底內已形成摻雜擴散區；

在所述接觸層上形成介質層；

圖形化所述介質層，以形成暴露部分接觸層的接觸孔；

去除暴露的所述部分接觸層的表層，剩余的所述部分接觸層具有滿足產品要求的厚度；

填充所述接觸孔，以形成通孔。

2.根據權利要求1所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：所述接觸層包含CoSi、NiSi或TiSi。

3.根據權利要求1所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：在所述接觸層上形成介質層的步驟包括：

在所述接觸層上形成刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上形成介質層。

4.根據權利要求3所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：圖形化所述介質層，以暴露部分所述接觸層的步驟包括：

圖形化所述介質層，并暴露部分刻蝕停止層；

去除所述部分刻蝕停止層，以暴露部分所述接觸層。

5.根據權利要求3所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：所述刻蝕停止層為氮化硅或氮氧化硅。

6.根據權利要求1所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：執行去除部分所述接觸層的操作時采用等離子體工藝。

7.根據權利要求1所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：執行去除部分所述接觸層的操作時包含反應氣體，所述反應氣體包括Ar。

8.根據權利要求7所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：所述反應氣體還包括O₂或O₃。

9.根據權利要求7所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：Ar的流量范圍為10～300sccm。

10.根據權利要求8所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：O₂的流量范圍為10～100sccm。

11.根據權利要求8所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：O₃的流量范圍為10～100sccm。

12.根據權利要求1所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：執行去除部分所述接觸層的操作時，反應功率范圍為100～500W。

13.根據權利要求1所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：執行去除部分所述接觸層的操作時，反應壓力范圍為10～100mT。

14.一種半導體器件通孔形成方法，其特征在于，包括：

在半導體基底上形成接觸層，所述半導體基底內已形成摻雜擴散區，所述接觸層具有高于產品要求的厚度；

在所述接觸層上形成介質層；

圖形化所述介質層，以形成暴露部分接觸層的接觸孔；

去除暴露的所述部分接觸層的表層，剩余的所述部分接觸層具有滿足產品要求的厚度；

填充所述接觸孔，以形成通孔。

15.根據權利要求14所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：所述接觸層為CoSi、NiSi或TiSi。

16.根據權利要求14所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：在所述接觸層上形成介質層的步驟包括：

在所述接觸層上形成刻蝕停止層；

在所述刻蝕停止層上形成介質層。

17.根據權利要求16所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：圖形化所述介質層，以暴露部分所述接觸層的步驟包括：

圖形化所述介質層，以暴露部分刻蝕停止層；

去除所述部分刻蝕停止層，以暴露部分所述接觸層。

18.根據權利要求14所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：所述刻蝕停止層為氮化硅或氮氧化硅。

19.根據權利要求14所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：執行去除部分所述接觸層的操作時采用等離子體工藝。

20.根據權利要求14所述的半導體器件通孔形成方法，其特征在于：執行去除部分所述接觸層的操作時包含反應氣體，所述反應氣體包括Ar。