[發明專利]淺溝槽隔離區及其形成方法

無效

• 申請號: 200710094496.3
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101459110A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 何永根;劉佑銘
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/31;H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李 麗

1.一種淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于，包括：

在半導體基底上形成淺溝槽；

形成覆蓋所述淺溝槽的側壁氧化層；

對所述側壁氧化層執行氮化操作；

形成隔離層，所述隔離層覆蓋經歷所述氮化操作的側壁氧化層并填充所述淺溝槽，以形成淺溝槽隔離區。

2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于：所述側壁氧化層包含二氧化硅。

3.根據權利要求1或2所述的淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于：所述側壁氧化層形成工藝采用熱氧化工藝或現場水汽生成工藝。

4.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于：應用現場水汽生成工藝形成所述側壁氧化層時，涉及的反應氣體包含H₂和O₂，所述H₂和O₂的流量比為1：2。

5.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于：應用去耦合等離子體氮化工藝、NH₃快速熱處理工藝或爐式快速熱氮化工藝執行所述氮化操作。

6.根據權利要求5所述的淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于：應用去耦合等離子體氮化工藝執行所述氮化操作時，涉及的反應氣體包含N₂，所述N₂的流量范圍為50～500sccm。

7.根據權利要求6所述的淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于：應用去耦合等離子體氮化工藝執行所述氮化操作時，還包含緩沖氣體，所述緩沖氣體包含He，所述He的流量范圍為100～500sccm。

8.根據權利要求5所述的淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于：應用去耦合等離子體氮化工藝執行所述氮化操作時，反應壓力范圍為10～50mT。

9.根據權利要求5所述的淺溝槽隔離區形成方法，其特征在于：執行所述氮化操作后，所述側壁氧化層內具有梯度氮分布，氮的濃度由所述側壁氧化層與所述隔離層的交接面至所述側壁氧化層與所述淺溝槽的交接面逐漸減小。

10.一種淺溝槽隔離區，包含形成于半導體基底內的淺溝槽、覆蓋所述淺溝槽的側壁氧化層及覆蓋所述側壁氧化層并填充所述淺溝槽的隔離層；其特征在于：所述側壁氧化層內具有氮分布。

11.根據權利要求10所述的淺溝槽隔離區，其特征在于：所述側壁氧化層內具有梯度氮分布，氮的濃度由所述側壁氧化層與所述隔離層的交接面至所述側壁氧化層與所述淺溝槽的交接面逐漸減小。