[發明專利]多層布線結構及形成多層布線結構的方法無效
| 申請號： | 200710094487.4 | 申請日： | 2007-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN101459150A | 公開（公告）日： | 2009-06-17 |
| 發明（設計）人： | 俞大立;程惠娟;劉晶;馬瑩;范禮賢 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/482 | 分類號： | H01L23/482;H01L23/522;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李 麗 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多層 布線 結構 形成 方法 | ||
1.一種形成多層布線結構的方法，其特征在于，包括：
至少形成一層具有第一區域金屬布線層和第二區域金屬布線層的金屬布線層，所述第二區域金屬布線層與第一區域金屬布線層不相連；
形成所述金屬布線層的上層布線結構；
將所述第一區域金屬布線層與上層布線結構中的金屬布線層相連。
2.如權利要求1所述的形成多層布線結構的方法，其特征在于，所述第二區域金屬布線層與第一區域金屬布線層的間距按設計規則中金屬之間的間距要求來確定。
3.如權利要求2所述的形成多層布線結構的方法，其特征在于，將所述第一區域金屬布線層與上層布線結構中的金屬布線層相連包括下列步驟：在所述金屬布線層上形成絕緣介質層；在所述絕緣介質層中鉆蝕形成通孔；在通孔中填充導電材料。
4.如權利要求3所述的形成多層布線結構的方法，其特征在于，所述鉆蝕形成通孔采用深層反應離子蝕刻。
5.如權利要求3所述的形成多層布線結構的方法，其特征在于，所述通孔的填充材料為銅。
6.一種多層布線結構，其特征在于，至少包括一層具有第一區域金屬布線層和第二區域金屬布線層的金屬布線層，所述第一區域金屬布線層用于與上層布線結構中的金屬布線層相連，所述第二區域金屬布線層與第一區域金屬布線層不相連。
7.如權利要求6所述的多層布線結構，其特征在于，所述第二區域金屬布線層與第一區域金屬布線層的間距按設計規則中金屬之間的間距要求來確定。
8.如權利要求7所述的多層布線結構，其特征在于，所述第一區域金屬布線層與上層布線結構中的金屬布線層通過通孔相連。
9.如權利要求8所述的多層布線結構，其特征在于，所述通孔的填充材料為銅。
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