[發明專利]校驗光學鄰近修正方法

有效

• 申請號: 200710094477.0
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101458719A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 楊青
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50;G03F1/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李 麗

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及校驗光學鄰近修正(OPC，OpticalProximity?Correction)的方法。

背景技術

在半導體襯底上制作集成電路通常包括多種光刻步驟。由于半導體襯底上布滿了越來越多的電路元件，半導體器件的特征尺寸也越來越小。當電路元件的尺寸接近光刻系統的曝光的波長時，所產生的電路元件的形狀變得與掩模板上的相應圖形明顯不同。例如，電路元件的線寬可能隨著其他線路的臨近而改變或線路端部趨向于縮短或“拉后”，這種不一致的線寬或者“拉后”可能導致本應相同的電路元件以不同速度運行或者連接的遺漏或減弱，從而對整個集成電路的運行產生問題。

隨著希望的和實際的光刻分辨率的差距持續增大，越來越多采用了復雜的分辨率增強技術(RET)和光學鄰近修正(OPC)技術來保持芯片生產。但是對于校驗這些復雜的RET和OPC方案是否能夠獲得最優化的掩膜圖形，不是簡單的任務。基于模型的校驗，又稱為光學規則檢查(ORC)，是一種在模擬基片圖像上實現形狀檢查的方法，要確保給定光掩膜板上的全部數百萬個形狀可以形成功能性電路是非常困難的。

現有技術公開了一種校驗光刻中的分辨率增強技術(RET)和光學鄰近修正(OPC)方法，所述方法包括：將繪制的掩膜布局的形狀按比例縮放到其相應的預定晶片尺寸，以生成比例圖像。根據預定的最大覆蓋誤差，相對于所述比例圖像的第二特征偏移第一特征。計算所述比例圖像的第一和第二特征的交叉參數，從而確定理想布局的產量量度。根據所述預定的最大覆蓋誤差，相對于所述模擬晶片圖像的第二特征偏移其第一特征。計算所述模擬晶片圖像的所述第一和第二特征的交叉參數，從而確定模擬布局的產量量度，以及比較所述模擬晶片圖像的所述產量量度與所述比例圖像的所述產量量度。

在申請號為200510114979的中國專利申請中還可以發現更多與上述技術方案相關的信息。

現有技術還公開了一種校驗光學鄰近修正方法，下面參照附圖加以說明。

參照圖1，執行步驟S11，提供版圖設計；執行步驟S12，對待曝光圖形進行分辨率增強和光學鄰近修正，修正后的圖形如圖2所示，包括待曝光電路圖形100各邊上的分割點W₁、W₂、W₃、W₄、W₅、W₆、W₇、W₈、W₉、W₁₀，所述各分割點將各邊分成長度接近曝光工藝臨界尺寸的分割邊，分別為第一分割邊U₁、第二分割邊U₂、第三分割邊U₃、第四分割邊U₄、第五分割邊U₅、第六分割邊U₆、第七分割邊U₇、第八分割邊U₈、第九分割邊U₉和第十分割邊U₁₀。