[發明專利]單源多漏的MOS器件

有效

• 申請號: 200710094395.6
• 申請日: 2007-12-06
• 公開（公告）號: CN101452936A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 董科;張博;徐云
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 平

1.?一種單源多漏的MOS器件，所述MOS器件包括源極、柵極和漏極， 其特征是：所述源極在襯底上的投影為多邊形，所述柵極包圍在源極四周 且所述柵極外圍在襯底上的投影為多邊形，所述漏極有多個且各自獨立， 所述漏極分布在柵極四周。

2.?根據權利要求1所述的單源多漏的MOS器件，其特征是：所述源極 和柵極外圍在襯底上的投影為具有相同數目的邊的多邊形。

3.?根據權利要求2所述的單源多漏的MOS器件，其特征是：所述漏極 的個數等于所述源極在襯底上的投影的多邊形所具有的邊數。

4.?根據權利要求2所述的單源多漏的MOS器件，其特征是：所述多邊 形均為正多邊形。

5.?根據權利要求4所述的單源多漏的MOS器件，其特征是：所述多邊 形均為正方形或正六邊形。

6.?根據權利要求1所述的單源多漏的MOS器件，其特征是：所述MOS 器件的源極、柵極和任意一個漏極均構成一個MOS晶體管，所述MOS器件 根據所述漏極的個數構成多個MOS晶體管。

7.?根據權利要求6所述的單源多漏的MOS器件，其特征是：所述MOS 器件所構成的多個MOS晶體管具有相同的源極和柵極。