[發(fā)明專利]淺溝槽隔離工藝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094392.2
• 申請日: 2007-12-06
• 公開（公告）號: CN101452873A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設計）人: 陳福成;朱駿
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/31;H01L21/312
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種淺溝槽隔離工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，在硅片上生長第一層氧化層襯墊，在所述第一層氧化層襯墊上涂布光刻膠，并進行光刻定義出形成淺溝槽的位置，通過顯影去除所述淺溝槽的位置上的光刻膠，在所述淺溝槽的位置上形成光刻膠窗口、其它區(qū)域用光刻膠保護；

第二步，以所述光刻膠為掩膜，在所述光刻膠窗口處刻蝕形成所述淺溝槽，去除所述光刻膠，并在所述淺溝槽的內(nèi)壁以及所述第一層氧化層襯墊表面上生長第二層氧化層襯墊；

第三步，在形成有所述淺溝槽、第一層氧化層襯墊、第二層氧化層襯墊的硅片上涂布硅基光刻膠，所述硅基光刻膠完全填充所述淺溝槽；

第四步，對所述硅基光刻膠進行光刻并顯影，以去除所述淺溝槽區(qū)域外的所述硅基光刻膠；

第五步，氧氣等離子體處理；

第六步，刻蝕掉所述溝槽外的硅片表面上的所述第一層氧化層襯墊和所述第二層氧化層襯墊，并清洗；

第七步，利用自動反饋系統(tǒng)在所述硅片和所述硅基光刻膠上生長第三層氧化層襯墊。

2.根據(jù)權利要求1所述的淺溝槽隔離工藝方法，其特征在于，第三步中填充的硅基光刻膠為：由酮類有機溶劑、醚類有機溶劑、烷烴類有機溶劑、抗反射吸收材料、可與標準四甲基氫氧化銨顯影液反應的有機酸基團樹脂以及含氧、氟、硅元素的有機基團樹脂、以及含氧、氟、硅元素的交聯(lián)樹脂構成，分子量在1000到50000之間，折射率在1.0到3.0之間，消光系數(shù)在0.1到3.0之間。

3.根據(jù)權利要求1所述的淺溝槽隔離工藝方法，其特征在于，第三步中填充硅基光刻膠的工藝參數(shù)為：每次硅基光刻膠涂布劑量為0.5ml到5ml，涂布次數(shù)為1到3次，烘烤溫度為60℃到250℃，烘烤次數(shù)為1到3次，烘烤時間為10秒到120秒。

4.根據(jù)權利要求1所述的淺溝槽隔離工藝方法，其特征在于，第四步中用顯影液顯影的工藝參數(shù)：每次的液體使用量為1ml到100ml，次數(shù)為1到3次，顯影液的溫度為10℃到30℃，顯影浸泡時間為10秒到120秒，隨后使用去離子水沖洗硅片表面移除顯影液的時間為10秒到120秒。