[發明專利]在EEPROM中形成隧道氧化層窗口的方法有效
| 申請號： | 200710094387.1 | 申請日： | 2007-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN101452888A | 公開（公告）日： | 2009-06-10 |
| 發明（設計）人： | 孫亞亞 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8247 | 分類號： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | eeprom 形成 隧道 氧化 窗口 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在EEPROM中形成隧道氧化層窗口的方法，在器件區和非器件區的硅片表面形成一層犧牲氧化層，在該犧牲氧化層的表面涂覆光刻膠，并在器件區預設隧道氧化層窗口的位置去除掉多余的光刻膠，直至所述犧牲氧化層的表面，其特征在于：
首先，采用砷離子對預設的隧道氧化層窗口的位置進行轟擊；
去除光刻膠，采用濕法刻蝕去除所述的犧牲氧化層；
然后，在器件區和非器件區的硅片表面成長高壓氧化膜，預設的隧道氧化層窗口的位置形成的高壓氧化膜的厚度大于沒有經過重離子砷轟擊的其余器件區和非器件區硅片表面成長的高壓氧化膜；
在器件區的高壓氧化膜上涂覆光刻膠，采用干法刻蝕，進行隧道氧化層窗口的光刻，干刻隧道氧化層窗口的時候，光罩在非器件區硅片表面和預設的隧道氧化層窗口位置同時打開；
干刻終點探測停止在非器件區的硅片表面；
利用濕法刻蝕去除終點探測干刻時剩下的柵氧化層。
2.如權利要求1所述的在EEPROM中形成隧道氧化層窗口的方法，其特征在于：預設的隧道氧化層窗口的位置形成的高壓氧化膜，與沒有經過重離子砷轟擊的其余器件區和非器件區硅片表面成長的高壓氧化膜相比厚
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
