[發(fā)明專利]通孔的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710094386.7 | 申請日： | 2007-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN101452877A | 公開（公告）日： | 2009-06-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 譚穎 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種通孔的制備方法，其特征在于，包括：
(1)金屬層淀積，后刻蝕該金屬層形成局部連線；
(2)淀積阻擋層，接著淀積層間介質層；
(3)光刻定義出通孔的圖形；
(4)采用層間介質層材料相對于阻擋層材料的刻蝕速率選擇比大的刻蝕條件，干法刻蝕層間介質層，使刻蝕停止在阻擋層上；
(5)采用阻擋層材料相對于金屬層的刻蝕速率選擇比在1.5～4范圍內的刻蝕條件，干法刻蝕阻擋層，使刻蝕停止在金屬層上。
2、按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述阻擋層材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
3、按照權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述的金屬層材料為氮化鈦。
4、按照權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述的介質層材料為正硅酸聚乙酯。
5、按照權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述的介質層材料為正硅酸聚乙酯。
6、按照權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中介質層材料相對于阻擋層材料的刻蝕速率選擇比大于10。
7、按照權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中介質層材料相對于阻擋層材料的刻蝕速率選擇比大于10。
8、按照權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中介質層材料相對于阻擋層材料的刻蝕速率選擇比大于10。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
