[發明專利]半導體器件中金屬柵的形成方法

有效

• 申請號: 200710094378.2
• 申請日: 2007-12-06
• 公開（公告）號: CN101452840A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 錢文生;呂趙鴻
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 周 赤

1.一種半導體器件中金屬柵的形成方法，其特征在于，包括：在襯底頂部形成偽柵極介質層和偽柵極；

以選擇性刻蝕的方法去除所述偽柵極及偽柵極介質層，形成溝槽；

在所述溝槽的底部淀積一層柵介質層；

在所述柵介質層上淀積一層金屬層；

在所述溝槽的左右兩側分別形成內側墻；

使用物理淀積的方法，在所述溝槽內形成金屬柵。

2.根據權利要求1所述半導體器件中金屬柵的形成方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為200～600埃。

3.根據權利要求1或2所述半導體器件中金屬柵的形成方法，其特征在于，所述內側墻由二氧化硅實現。