[發(fā)明專利]磷硅玻璃生長(zhǎng)工藝及磷硅玻璃無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710094369.3 | 申請(qǐng)日： | 2007-11-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101450833A | 公開（公告）日： | 2009-06-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐偉中 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C03B8/04 | 分類號(hào)： | C03B8/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 丁紀(jì)鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 玻璃 生長(zhǎng) 工藝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種磷硅玻璃生長(zhǎng)工藝，采用高密度等離子體化學(xué)汽相淀積生長(zhǎng)磷硅玻璃，其特征在于，在磷硅玻璃沉積過程中，濺射偏壓功率與硅片面積的比率范圍在2至6W/cm2之間，氧氣的摩爾量比硅烷與磷烷摩爾量的和的范圍在1.5至2之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷硅玻璃生長(zhǎng)工藝，采用高密度等離子體化學(xué)汽相淀積生長(zhǎng)磷硅玻璃，其特征在于，在磷硅玻璃沉積過程中，濺射偏壓功率與硅片面積的比率范圍在4.6至5.0W/cm2之間，氧氣的摩爾量比硅烷與磷烷摩爾量的和的范圍在1.7至1.9W/cm2之間。
3.一種根據(jù)權(quán)利要求1的工藝生長(zhǎng)的磷硅玻璃，其特征在于，磷硅玻璃花狀外殼的底部起點(diǎn)與襯底的距離大于40nm。
4.一種根據(jù)權(quán)利要求2的工藝生長(zhǎng)的磷硅玻璃，其特征在于，磷硅玻璃花狀外殼的底部起點(diǎn)與襯底的距離大于60nm。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經(jīng)上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710094369.3/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
