[發(fā)明專利]自對(duì)準(zhǔn)接觸孔層間膜及制作方法、接觸孔刻蝕的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710094368.9
• 申請(qǐng)日: 2007-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101452905A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王函;呂煜坤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768;H01L21/31;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種自對(duì)準(zhǔn)接觸孔層間膜上刻蝕接觸孔的方法，其特征在于，自對(duì) 準(zhǔn)接觸孔層間膜由從下往上依次形成的兩個(gè)層面組成，第一層為磷硅玻璃， 第二層為保護(hù)氧化膜；包括以下步驟：第一步，在待刻蝕襯底上，依據(jù)花 苞狀外殼圖形分布的密集程度將待刻蝕襯底分成花苞狀外殼圖形密集和花 苞狀外殼圖形稀疏的區(qū)域；第二步，利用掩膜版對(duì)花苞狀外殼圖形密集的 區(qū)域進(jìn)行曝光；第三步，利用光刻膠作為刻蝕掩蔽層對(duì)花苞狀外殼圖形密 集的區(qū)域進(jìn)行刻蝕；第四步，剝離抗反射層和光刻膠，用有機(jī)抗反射層涂 覆硅片表面，填充第一次刻蝕后的間隙，使襯底表面平坦化；第五步，利 用掩膜版對(duì)花苞狀外殼圖形稀疏的區(qū)域進(jìn)行曝光；第六步，利用光刻膠作 為刻蝕掩蔽層對(duì)花苞狀外殼圖形稀疏的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，所述第六步的刻蝕 時(shí)間要小于第三步的刻蝕時(shí)間，所述第六步的刻蝕選擇比要大于第三步的 刻蝕選擇比；第七步，剝離抗反射層和光刻膠，用有機(jī)抗反射層涂覆硅片 表面，填充第二次刻蝕后的間隙，使襯底表面平坦化；第八步，重復(fù)上述 第二步至第七步完成所有區(qū)域的解除孔刻蝕，并在之后進(jìn)行去膠和清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)接觸孔層間膜上刻蝕接觸孔的方法， 其特征在于，第三步中刻蝕工藝參數(shù)為：a.上部電源功率為0至2000w；b. 偏轉(zhuǎn)功率為0至2000w；c.工藝腔體的壓力為0至200mT；d.氬氣流量為0 至500sccm；e.氧氣流量為0至500sccm；f.高選擇比的碳氟系氣體，且 該氣體流量為0至500sccm；g.高選擇比的碳氟氫系氣體，且該氣體流量 為0至200sccm；h.靜電吸附盤背部氦氣壓力為0至20T，i.陰極背部氦 氣壓力為0至20T，j.上部電源功率為0至1000W。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)接觸孔層間膜上刻蝕接觸孔的方法， 其特征在于，第六步中刻蝕工藝參數(shù)為：a.上部電源功率為0至2000w；b. 偏轉(zhuǎn)功率為0至2000w；c.工藝腔體的壓力為0至200mT；d.氬氣流量為0 至500sccm；e.氧氣流量為0至500sccm；f.高選擇比的碳氟系氣體，且 該氣體流量為0至500sccm；g.高選擇比的碳氟氫系氣體，且該氣體流量 為0至500sccm；h.靜電吸附盤背部氦氣壓力為0至20T，i.陰極背部氦 氣壓力為0至20T，j.上部電源功率為0至1000W。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的自對(duì)準(zhǔn)接觸孔層間膜上刻蝕接觸孔的方 法，其特征在于，步驟f中的碳氟系氣體為C₄F₈或者C₄F₆或者C₅F₈。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的自對(duì)準(zhǔn)接觸孔層間膜上刻蝕接觸孔的方 法，其特征在于，步驟g中的碳氟氫系氣體為C₂H₂F₄。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自對(duì)準(zhǔn)接觸孔層間膜上刻蝕接觸孔的方法， 其特征在于，所述的第二步與第五步互換、同時(shí)第三步與第六步互換。