[發明專利]高壓區淺溝槽頂角端圓化的方法

有效

• 申請號: 200710094366.X
• 申請日: 2007-11-30
• 公開（公告）號: CN101452872A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 遲玉山;呂煜坤
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種高壓區淺溝槽頂角端圓化的方法，在利用普通的方法形成淺溝槽結構后，保留硬質掩膜層，其特征在于，由以下步驟組成高壓區淺溝槽頂角端圓化的方法：第一步，利用光刻膠填充在所有的淺溝槽區域，并在有源區上方形成一定的厚度；第二步，去除高壓區內有源區上方的全部光刻膠，淺溝槽內光刻膠保留一定的厚度，而低壓區被光刻膠覆蓋；第三步，對高壓區內的淺溝槽頂角進行圓化處理；所述圓化處理的方法為等離子刻蝕方法、或者化學濕法刻蝕方法、或者等離子刻蝕與化學濕法刻蝕相結合的方法；第四步，去除殘余的光刻膠和其它殘余物。

2.根據權利要求1所述的高壓區淺溝槽頂角端圓化的方法，其特征在于，第一步中的光刻膠為365nm紫外線光刻膠或者248nm深紫外線光刻膠或者193nm深紫外線光刻膠，光刻膠為正膠、或負膠。

3.根據權利要求1所述的高壓區淺溝槽頂角端圓化的方法，其特征在于，第一步填充在所有的淺溝槽區域的光刻膠在有源區上的厚度為?至?

4.根據權利要求1所述的高壓區淺溝槽頂角端圓化的方法，其特征在于，第二步中采用掩膜版對高壓區進行曝光的方法去除高壓區內有源區上方全部的光刻膠。

5.根據權利要求4所述的高壓區淺溝槽頂角端圓化的方法，其特征在于，第二步中根據光刻膠的性質，該掩膜版使得高壓區為透光區、低壓區為不透光區，或者使得低壓區為透光區，高壓區為不透光區。

6.根據權利要求1所述的高壓區淺溝槽頂角端圓化的方法，其特征在于，第四步中采用等離子灰化方法或者化學剝膠方法去除殘余的光刻膠和其它殘余物。?