[發明專利]CMP工藝條件調整控制方法有效
| 申請號： | 200710094357.0 | 申請日： | 2007-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN101450449A | 公開（公告）日： | 2009-06-10 |
| 發明（設計）人： | 劉艷平;張震宇;金新 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmp 工藝 條件 調整 控制 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種CMP工藝條件調整控制方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1).收集整理制品前膜、殘膜膜厚均一性與工藝條件之間的關系，建立根據前膜厚度范圍調整工藝條件的表格；
(2).每個制品在CMP工藝進行前一步，進行前膜膜厚測量，獲得前膜厚度范圍；如果制品是第一次測試前膜，通過測試前膜輪廓曲線來確定前膜厚度的測試點及位置，然后在CMP工藝進行前，進行前膜膜厚測量，獲得前膜厚度范圍；
(3).在CMP工藝進行的過程中，CMP設備根據前膜厚度范圍大小，依據建立的根據前膜厚度范圍調整工藝條件的表格選定相應的CMP工藝條件進行研磨；
所述前膜厚度范圍是前膜厚度的最大值與最小值的差值。
2.根據權利要求1所述的CMP工藝條件調整控制方法，其特征在于，研磨后對制品進行殘膜測試，根據實際測量的殘膜厚度范圍，檢驗前膜、殘膜膜厚均一性與工藝條件之間的關系，對調整工藝條件的表格進行修正；所述殘膜厚度范圍是殘膜厚度的最大值與最小值的差值。
3.根據權利要求1或2所述的CMP工藝條件調整控制方法，其特征在于，工藝條件中的參數為CMP工藝過程中的可調參數。
4.根據權利要求4所述的CMP工藝條件調整控制方法，其特征在于，CMP工藝過程中的可調參數包括研磨頭內環、隔膜及保持環的壓力、研磨頭轉速、研磨液流量、修復盤壓力及轉速、研磨盤轉速。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710094357.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：光盤裝置
- 下一篇：片狀導光體、操作面板照明裝置以及電子設備
