[發明專利]光刻對準標記的制備方法無效
| 申請號： | 200710094318.0 | 申請日： | 2007-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN101452211A | 公開（公告）日： | 2009-06-10 |
| 發明（設計）人： | 陳華倫;陳雄斌;陳瑜;熊濤;羅嘯 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F3/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 對準 標記 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種光刻對準標記的制備方法，其制作在硅襯底中，其特征在于，包括：
(1)在硅襯底上制備一氧化層；
(2)用光刻膠光刻顯影，保留光刻對準標記處的光刻膠；
(3)以步驟(2)中形成的光刻膠圖案為刻蝕掩膜，刻蝕曝出的氧化層至硅表面，最后去除光刻膠層；
(4)進行硅外延生長，使外延層表面高度大于氧化層表面高度，形成光刻對準標記。
2、按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的光刻對準標記包括光刻對位標記和光刻套刻標記。
3、按照權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)之前還包括對硅片表面進行清洗的步驟。
4、按照權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)硅外延生長采用硅烷作為反應氣體。
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