[發(fā)明專利]STI隔離結(jié)構(gòu)的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094312.3
• 申請日: 2007-11-28
• 公開（公告）號: CN101452871A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳廣龍;龔新軍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種STI隔離結(jié)構(gòu)的制備方法，包括步驟：

(1)用氧化硅填充淺溝槽；

(2)去除硬掩膜；該步驟(2)完成后得到的STI隔離結(jié)構(gòu)具有邊角， 且相對墊層氧化層具有臺階；

其特征在于，步驟(2)之后，還包括如下步驟：

(3)在墊層氧化層表面淀積一層磷，淀積的同時(shí)磷在墊層氧化層表面 擴(kuò)散形成磷硅玻璃；

(4)濕法腐蝕掉所述磷硅玻璃。

2.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟(3)中磷 的淀積工藝為化學(xué)氣相淀積，采用POCL₃氣體作反應(yīng)氣體。

3.按照權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述磷硅玻璃的 厚度為180～250埃。

4.按照權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述濕法腐蝕采 用氫氟酸溶液作腐蝕液。