[發(fā)明專利]雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710094291.5
• 申請(qǐng)日: 2007-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101447432A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢文生;劉俊文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周 赤

1、一種雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在所述硅襯底阱區(qū)的位置進(jìn)行選擇性離子注入，形成漂移區(qū)；

(2)在所述硅襯底頂部生長(zhǎng)一層二氧化硅層；

(3)對(duì)所述二氧化硅層進(jìn)行刻蝕，形成柵氧區(qū)域；

(4)在所述柵氧區(qū)域內(nèi)進(jìn)行生長(zhǎng)一層?xùn)叛趸瘜樱?/p>

(5)在所述二氧化硅層和柵氧化層上再沉積一層?xùn)艠O多晶硅，形成柵極；

(6)在硅襯底上進(jìn)行選擇性源漏離子注入，形成源漏極。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造方法，其特征在于，所述二氧化硅層與所述柵氧化層的厚度比應(yīng)大于1.5。