[發明專利]測量曝光機臺焦距偏移量的方法有效
| 申請號： | 200710094288.3 | 申請日： | 2007-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN101446767A | 公開（公告）日： | 2009-06-03 |
| 發明（設計）人： | 陳華倫;羅嘯;陳雄斌;熊濤;陳瑜 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測量 曝光 機臺 焦距 偏移 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種測量曝光機臺焦距偏移量的方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)在曝光機臺正常工作的狀態下，對硅片進行曝光，得到第一次曝光圖形；
(2)用對與硅片運動平面傾斜的入射光對步驟(1)中得到的硅片進行第二次曝光，得第二次曝光圖形；
(3)測量兩次曝光圖形的偏移量，結合光的傾斜度，計算出曝光機臺焦距的偏移量。
2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟(3)中曝光機臺焦距的偏移量＝曝光圖形的偏移量/tanθ，其中θ為入射光與硅片法線方向的夾角。
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