[發(fā)明專利]高電阻多晶硅形成方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094284.5
• 申請日: 2007-11-27
• 公開（公告）號: CN101447417A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢文生;周曉君
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/24;H01L21/265;H01L21/324
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周 赤

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種高電阻多晶硅的形成方法，尤其涉及一種不易造成高電阻多晶硅的失效的高電阻多晶硅形成方法。

背景技術(shù)

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中形成高電阻多晶硅的方法主要包括以下流程：

步驟1，在淀積有二氧化硅的硅襯底上淀積一層多晶硅，這時的剖面結(jié)構(gòu)如圖2a所示；

步驟2，對所述多晶硅進行低劑量的硼離子注入，且所注入的硼離子的劑量為1e14～5e14cm^-2，從而得到高電阻多晶硅；

步驟3，通過一塊掩模版，再對所述高電阻多晶硅進行選擇性高劑量的磷離子注入，且所注入的磷離子的劑量為2e15～5e15cm^-2，從而得到柵區(qū)多晶硅，這時的剖面結(jié)構(gòu)如圖2b所示。

上述制作過程需要通過一塊掩模版來隔離高電阻多晶硅和柵區(qū)多晶硅，而且由于高劑量離子注入本身會有很較強的橫向擴散，因此易造成高電阻多晶硅的失效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種高電阻多晶硅形成方法，可減少一塊掩模板，降低成本，節(jié)約面積，并且不易造成高電阻多晶硅的失效。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括以下步驟：

(1)在淀積有二氧化硅的硅襯底上淀積一層多晶硅；

(2)對所述多晶硅進行高劑量磷離子注入；

(3)對所述經(jīng)過高劑量磷離子注入后的多晶硅再進行氧元素注入；

(4)對硅片進行高溫退火。

本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)方案，具有這樣的有益效果，即通過采用氧元素注入的方法來形成高電阻多晶硅區(qū)和柵多晶硅區(qū)的分離，并通過調(diào)整氧元素的注入能量來同時滿足高電阻多晶硅區(qū)和柵多晶硅區(qū)的厚度要求，然后再通過高溫退火來形成作為高電阻多晶硅區(qū)的氧化層，從而起到了減少一塊掩模板的作用，進而降低了成本，節(jié)約了面積；而且，不易造成高電阻多晶硅的失效。

附圖說明

下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中形成高電阻多晶硅的流程示意圖；

圖2a-2b為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)形成高電阻多晶硅的過程中的剖面結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明所述形成高電阻多晶硅的流程示意圖；

圖4a-4b為根據(jù)本發(fā)明形成高電阻多晶硅的過程中的剖面結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

在一個實施例中，如圖3所示，在本發(fā)明中，高電阻多晶硅的形成包括如下步驟：

第一步，在淀積有二氧化硅的硅襯底上淀積一層多晶硅，所需淀積的多晶硅的厚度應(yīng)根據(jù)實際對高電阻多晶硅和柵多晶硅的要求，如高電阻多晶硅組織的要求，柵多晶硅組織和厚度的要求等進行調(diào)整，這時的剖面結(jié)構(gòu)如圖4a所示。

第二步，對所述多晶硅進行高劑量磷離子注入，所注入的磷離子的劑量為2e15～5e15cm^-2。

第三步，對所述經(jīng)過高劑量離子注入后的多晶硅再進行氧元素注入，從而實現(xiàn)高電阻多晶硅和柵多晶硅的分離，并且所需注入的氧元素的能量應(yīng)根據(jù)實際需要滿足的高電阻多晶硅和柵多晶硅的厚度要求進行調(diào)整；

第四步，對硅片進行高溫退火，退火溫度為950℃～1000℃，從而形成隔離的氧化層(即圖4b中多晶硅上面的二氧化硅)，所述氧化層即為高電阻多晶硅區(qū)，這時的剖面結(jié)構(gòu)如圖4b所示。

本發(fā)明上述高電阻多晶硅形成方法由于不需要使用掩模版，所以降低了成本，而且節(jié)約了面積，而且不會產(chǎn)生因高劑量離子注入較強的橫向擴散作用而引起高電阻多晶硅失效的問題。