[發明專利]半導體器件制造方法無效
| 申請號： | 200710094282.6 | 申請日： | 2007-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN101447431A | 公開（公告）日： | 2009-06-03 |
| 發明（設計）人： | 錢文生;周曉君 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種半導體器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在已形成有P型阱區、屏蔽氧化層、柵極和柵極側墻的硅片上，通過屏蔽氧化層進行源漏離子注入；
(2)進行源漏熱退火；
(3)在所述硅片上淀積一層碳化硅；
(4)采用低壓化學氣相沉積的方法，在所述碳化硅上再淀積一層二氧化硅。
2、根據權利要求1所述半導體器件制造方法，其特征在于，在所述步驟(3)中，所淀積的碳化硅的厚度為400～600埃。
3、根據權利要求2所述半導體器件制造方法，其特征在于，在所述步驟(3)中，所淀積的碳化硅的厚度為500埃。
4、根據權利要求1至3中任一項所述半導體器件制造方法，其特征在于，在所述步驟(2)中，熱退火的溫度為1010℃～1025℃，退火時間為10～25秒。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
