[發(fā)明專利]低觸發(fā)電壓晶閘管靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094273.7
• 申請日: 2007-11-23
• 公開（公告）號(hào): CN101442047A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田光春
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L23/60
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1、一種低觸發(fā)電壓晶閘管靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括：

一NMOS管，形成在PW中，該NMOS管寄生的由N+/PW/N+形成的NPN管與由寄生的N+/PW/NW形成的NPN管具有相同的發(fā)射極端和基極端；

一晶閘管結(jié)構(gòu)，由P+/NW/PW形成的寄生PNP管和由寄生的N+/PW/NW形成的NPN管組成，當(dāng)由N+/PW/N+形成的NPN管觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)，由寄生的N+/PW/NW形成的NPN管也導(dǎo)通；進(jìn)而觸發(fā)所述的晶閘管結(jié)構(gòu)；其特征在于：

所述NMOS管的漏極通過NW電阻Rnw1與靜電端電連接，所述晶閘管結(jié)構(gòu)的觸發(fā)由該NMOS管和NW電阻Rnw1控制。

2、如權(quán)利要求1所述的低觸發(fā)電壓晶閘管靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述NW電阻Rnw1減小時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電壓降低；NW電阻Rnw1為零時(shí)，所述NMOS管的漏極直接與靜電端電連接。