[發(fā)明專利]HDP CVD工藝淀積介質(zhì)膜時減少二氧化硅的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094265.2
• 申請日: 2007-11-22
• 公開（公告）號: CN101440480A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設計）人: 秦文芳;胡正軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司;上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/52;C23C16/50
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 陳 平

1.一種HDP?CVD工藝淀積介質(zhì)膜時減少二氧化硅的方法，其特征是：所述方法包括如下步驟：

第1步，打開反應腔閥門，不通入氧氣；

第2a步，加熱反應腔，不通入氧氣，該步驟稱為加熱反應腔的前期；

第2b步，加熱反應腔，通入氧氣，該步驟稱為加熱反應腔的后期；

所述加熱反應腔的后期通入氧氣的流量小于等于100sccm。

2.根據(jù)權利要求1所述的HDP?CVD工藝淀積介質(zhì)膜時減少二氧化硅的方法，其特征是：所述加熱反應腔的后期的時間小于等于10秒。