[發(fā)明專利]光刻尺寸超規(guī)格的修正刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094242.1
• 申請日: 2007-11-19
• 公開（公告）號: CN101441407A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾林華;劉鵬;呂煜坤
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周 赤

1.一種光刻尺寸超規(guī)格的修正刻蝕方法，用于光刻尺寸超規(guī)格產(chǎn)生 光刻尺寸偏差時，進一步刻蝕襯底上的主介質(zhì)膜，達到設(shè)定的主介質(zhì)膜線 寬，其中所述主介質(zhì)膜上有刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層上涂有光刻膠； 其特征在于，包括如下步驟：

(1)根據(jù)所述光刻尺寸偏差計算所述的刻蝕阻擋層的刻蝕斷面角度 修正值，計算公式如下：

2*T*ctgA＝δ+2*T*ctg(A+θ)

其中，

T為所述刻蝕阻擋層的厚度；

A為所述刻蝕阻擋層的刻蝕斷面角度；

δ為所述光刻尺寸偏差；

θ為所述刻蝕阻擋層的刻蝕斷面角度修正值，θ可以是正值或負值；

(2)根據(jù)所述刻蝕阻擋層的刻蝕斷面角度修正值，通過改變刻蝕參 數(shù)調(diào)整刻蝕阻擋層的刻蝕斷面角度；所述刻蝕斷面角度為0度～90度；

(3)進一步刻蝕主介質(zhì)膜，得到設(shè)定的主介質(zhì)膜線寬。

2.如權(quán)利要求1所述的光刻尺寸超規(guī)格的修正刻蝕方法，其特征在 于，所述的主介質(zhì)膜包括金屬和多晶硅。

3.如權(quán)利要求1所述的光刻尺寸超規(guī)格的修正刻蝕方法，其特征在 于，所述的刻蝕阻擋層包括硬掩膜和絕緣抗反射材料。

4.如權(quán)利要求3所述的光刻尺寸超規(guī)格的修正刻蝕方法，其特征在 于，所述的硬掩膜和絕緣抗反射材料包括：氮氧化硅、氮化硅、二氧化硅、 和金屬化合物。??

5.如權(quán)利要求1所述的光刻尺寸超規(guī)格的修正刻蝕方法，其特征在 于，所述的光刻尺寸偏差包括正偏差和負偏差。

6.如權(quán)利要求1所述的光刻尺寸超規(guī)格的修正刻蝕方法，其特征在 于，步驟(2)所述的刻蝕參數(shù)包括反應室壓力、射頻功率、氣體流量、 和反應室溫度。