[發明專利]溝槽型MOS晶體管的接觸孔的制備方法有效
| 申請號： | 200710094235.1 | 申請日： | 2007-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN101436567A | 公開（公告）日： | 2009-05-20 |
| 發明（設計）人： | 陳正嶸;馬清杰;繆進征 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/311;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 mos 晶體管 接觸 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種溝槽型MOS晶體管的接觸孔的制備方法，所述溝槽型MOS晶體管的結構為：硅襯底底部有漏區，其上依次有溝道區和源區，在所述溝道區和源區兩側有多晶硅填充的溝槽，另外，在所述硅襯底表面依次有低溫生長的氧化膜和硼磷硅玻璃；其特征在于，包括如下步驟：
(1)涂光刻膠后對接觸孔光刻，干法將硼磷硅玻璃和氧化膜刻蝕至硅表面；
(2)接觸孔進一步進行溝槽刻蝕過源區結深；
(3)光刻膠剝離；
(4)濕法對硼磷硅玻璃和氧化膜橫向刻蝕；
(5)干法對溝槽形接觸孔做圓孔處理，各向同性刻蝕，使接觸孔底部呈圓角；
(6)再次濕法對硼磷硅玻璃和氧化膜刻蝕，使接觸孔的側壁形成平滑的曲面；
(7)接觸孔離子注入；
(8)鈦和氮化鈦離子濺射，快速熱退火；
(9)鎢塞淀積。
2.如權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的接觸孔的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述的濕法對硼磷硅玻璃和氧化膜刻蝕，其深度范圍為
3.如權利要求1所述的溝槽型MOS晶體管的接觸孔的制備方法，其特征在于，步驟(5)所述的干法對溝槽形接觸孔做圓孔處理，各向同性刻蝕，其深度范圍為
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹NEC電子有限公司，未經上海華虹NEC電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710094235.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
