[發明專利]淺溝槽隔離的制備方法無效
| 申請號： | 200710094225.8 | 申請日： | 2007-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN101436566A | 公開（公告）日： | 2009-05-20 |
| 發明（設計）人： | 陳華倫;熊濤;陳瑜 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種淺溝槽隔離的制備方法，用于0.15um及以下尺寸半導體器件制備中，其特征在于，該方法包括如下步驟：
(1)襯底上淀積襯墊氧化層和硬掩膜層；
(2)光刻膠涂布和光刻定義淺溝槽區域；
(3)刻蝕曝光露出的硬掩膜層，襯墊氧化層和部分硅襯底，形成淺溝槽，且在刻蝕過程中，襯底上的光刻膠被全部去除；
(4)濕法腐蝕淺溝槽頂端邊角的襯墊氧化層；
(5)在淺溝槽內側熱生長墊層氧化層；
(6)用HDPCVD工淀積氧化硅填充淺溝槽；
(7)CMP研磨及硬掩膜層去除。
2、按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述光刻膠的厚度滿足光刻工藝中對解析度和景深的要求，且在所述步驟(3)的刻蝕過程中，光刻膠的刻蝕時間為完成整個刻蝕過程的刻蝕時間的40％～80％。
3、按照權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述光刻膠的厚度為3000～5000埃之間。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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