[發明專利]T型多晶硅柵電極的制備方法

有效

• 申請號: 200710094214.X
• 申請日: 2007-11-09
• 公開（公告）號: CN101431020A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 陳福成;朱駿
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種T型多晶硅柵電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1、先在硅襯底上的柵氧化層上淀積第一層多晶硅；

2、利用負性光刻膠和柵極掩膜版進行對準光刻；

3、利用步驟2中的負性光刻膠圖案為掩膜層，對第一層多晶硅層進行注入摻雜；

4、去除負性光刻膠，接著淀積第二層多晶硅；

5、用正性光刻膠和步驟2中的柵極掩膜版進行對準光刻，后干法刻蝕第二層多晶硅和第一層多晶硅，形成T型多晶硅柵電極；

6、去除多晶硅柵電極兩邊的柵氧化層。

2.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1中第一層多晶硅的厚度為：100～1000um，所述步驟4中第二層多晶硅的厚度為：1000～5000um。

3.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟3中第一層多晶硅層的摻雜原子為磷原子。

4.按照權利要求1、2和3任一項權利要求中所述制備方法，其特征在于：所述步驟3中第一層多晶硅層注入摻雜工藝中，摻雜劑大于10¹⁵原子/立方厘米。