[發明專利]局部硅氧化隔離結構的制備方法無效
| 申請號： | 200710094213.5 | 申請日： | 2007-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN101431043A | 公開（公告）日： | 2009-05-13 |
| 發明（設計）人： | 陳華倫;陳雄斌 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 局部 氧化 隔離 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種局部硅氧化隔離結構的制備方法，其特征在于，該制備方法包括如下步驟：
(1)襯底上生長氧化硅和氮化硅；
(2)進行光刻定義隔離氧化硅區域，刻蝕去掉所述隔離氧化硅區域的氮化硅和氧化硅；
(3)以氮化硅為掩膜層，將氧原子注入硅襯底中；
(4)高溫氧化，形成隔離氧化硅；
(5)去除硅襯底表面的氮化硅和氧化硅。
2、按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述氧原子注入的劑量在1015～1018原子/立方厘米之間。
3、按照權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述氧原子注入深度小于氮化硅厚度的三分之二。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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