[發明專利]形成高壓柵氧結構的工藝方法無效
| 申請號： | 200710094128.9 | 申請日： | 2007-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN101409261A | 公開（公告）日： | 2009-04-15 |
| 發明（設計）人： | 張斌 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234;H01L21/285;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 高壓 結構 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1、一種形成高壓柵氧結構的工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在硅片表面上熱氧化一層襯墊二氧化硅膜(22)；然后，再在所述襯墊二氧化硅膜(22)上淀積一層介質膜層(23)；再在所述介質膜層上涂覆一層光刻膠(24)；
(2)在所述光刻膠(24)上形成所需光刻圖形，然后干法刻蝕去除露出的介質膜層(23)，然后去除所述光刻膠(24)；
(3)采用濕法腐蝕的方法，去除露出的二氧化硅膜(22)；
(4)進行柵極熱氧化，形成高壓區域柵氧化膜(25)；
(5)采用濕法去除剩余的介質膜層(23)以及襯墊二氧化硅膜(22)，最終形成高壓柵氧結構。
2、根據權利要求1所述的形成高壓柵氧結構的工藝方法，其特征在于，所述介質膜層(23)與二氧化硅具有高濕法腐蝕選擇比。
3、根據權利要求2所述的形成高壓柵氧結構的工藝方法，其特征在于，所述介質膜層(23)為Si3N4或SiON膜層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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