[發(fā)明專利]硅片周邊缺口檢查方法及裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710094106.2
• 申請日: 2007-09-28
• 公開（公告）號: CN101398395A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張擎雪;潘嘉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G01N21/956
• 分類號: G01N21/956;H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周 赤

1、一種硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，在待檢測的硅片正面上方設(shè)置正面激光源、正面?zhèn)鞲衅鳎趁嫦路皆O(shè)置背面激光源、背面?zhèn)鞲衅鳎杵瑑蛇叺募す庠凑丈涔杵闹苓呂恢?，正面?zhèn)鞲衅魑挥谡婕す庠凑丈涔杵砻娴姆瓷涔饩€路徑之上，背面?zhèn)鞲衅魑挥诒趁婕す庠凑丈涔杵砻娴姆瓷涔饩€路徑之上；兩面的激光源不能直線照射到對面的傳感器；硅片旋轉(zhuǎn)一周，周邊均經(jīng)過所述激光源照射，傳感器能接收到完整的硅片周邊反射的同一面的激光源的較強光信號，遇到有硅片周邊有缺口的地方，位于同一面的傳感器接收的光信號明顯減弱；傳感器采集的光信號傳送到信號處理系統(tǒng)，信號處理系統(tǒng)根據(jù)正面?zhèn)鞲衅?、背面?zhèn)鞲衅鞑杉降姆瓷浼す庑盘柮黠@減弱次數(shù)及位置判斷硅片周邊存在的缺口，兩個傳感器只同時采集到一次反射激光信號明顯減弱，表明硅片周邊只存在一硅片對準(zhǔn)穿透缺口，任何一個傳感器采集到超過一次反射激光信號明顯減弱，表示硅片周邊存在異常缺口。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，激光源照射硅片邊緣3mm到5mm的位置。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，兩個傳感器同時采集到的反射激光信號明顯減弱超過一次的次數(shù)表示硅片周邊存在的異常穿透缺口的個數(shù)。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，單個傳感器采集到的反射激光信號明顯減弱超過一次的次數(shù)表明硅片相應(yīng)面周邊存在異常缺口的個數(shù)。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，當(dāng)檢測到硅片周邊異常缺口時，信號處理系統(tǒng)給出報警信號。

6、根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，所述正面激光源、正面?zhèn)鞲衅?、背面激光源、背面?zhèn)鞲衅?，安裝在常規(guī)硅片對準(zhǔn)裝置的檢測槽上下兩面，在硅片對準(zhǔn)的同時同步檢查硅片周邊缺口。

7、根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，所述正面激光源、正面?zhèn)鞲衅鳌⒈趁婕す庠础⒈趁鎮(zhèn)鞲衅鳎惭b在常規(guī)宏觀檢查設(shè)備上，在對硅片進行常規(guī)宏觀檢查的同時檢查硅片周邊缺口。

8、一種硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，包括正面激光源、正面?zhèn)鞲衅?、背面激光源、背面?zhèn)鞲衅?、檢測槽、硅片承載部件、信號處理系統(tǒng)，檢測槽內(nèi)的上面安裝正面激光源和正面?zhèn)鞲衅?，檢測槽內(nèi)的下面安裝背面激光源和背面?zhèn)鞲衅鳎婕す庠春捅趁鎮(zhèn)鞲衅?、背面激光源和正面?zhèn)鞲衅髟跈z測槽的同一側(cè)；硅片承載部件放置待檢測硅片，使部分硅片周邊置于檢測槽內(nèi)；信號處理系統(tǒng)接收傳感器采集到的光信號，根據(jù)硅片旋轉(zhuǎn)一周正面?zhèn)鞲衅?、背面?zhèn)鞲衅鞑杉降姆瓷浼す庑盘柮黠@減弱次數(shù)判斷硅片周邊存在的缺口。

9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，激光源光束寬度為3mm到5mm。

10、根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，當(dāng)檢測到硅片周邊異常缺口時，信號處理系統(tǒng)發(fā)出報警信號。

11、根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，所述檢測槽、硅片承載部件為常規(guī)硅片對準(zhǔn)裝置的檢測槽及承載臺。

12、根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，所述檢測槽安裝在常規(guī)宏觀檢查設(shè)備上。