[發明專利]硅片周邊缺口檢查方法及裝置

無效

• 申請號: 200710094106.2
• 申請日: 2007-09-28
• 公開（公告）號: CN101398395A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 張擎雪;潘嘉
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G01N21/956
• 分類號: G01N21/956;H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 周 赤

1、一種硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，在待檢測的硅片正面上方設置正面激光源、正面傳感器，背面下方設置背面激光源、背面傳感器，硅片兩邊的激光源照射硅片的周邊位置，正面傳感器位于正面激光源照射硅片表面的反射光線路徑之上，背面傳感器位于背面激光源照射硅片表面的反射光線路徑之上；兩面的激光源不能直線照射到對面的傳感器；硅片旋轉一周，周邊均經過所述激光源照射，傳感器能接收到完整的硅片周邊反射的同一面的激光源的較強光信號，遇到有硅片周邊有缺口的地方，位于同一面的傳感器接收的光信號明顯減弱；傳感器采集的光信號傳送到信號處理系統，信號處理系統根據正面傳感器、背面傳感器采集到的反射激光信號明顯減弱次數及位置判斷硅片周邊存在的缺口，兩個傳感器只同時采集到一次反射激光信號明顯減弱，表明硅片周邊只存在一硅片對準穿透缺口，任何一個傳感器采集到超過一次反射激光信號明顯減弱，表示硅片周邊存在異常缺口。

2、根據權利要求1所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，激光源照射硅片邊緣3mm到5mm的位置。

3、根據權利要求1所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，兩個傳感器同時采集到的反射激光信號明顯減弱超過一次的次數表示硅片周邊存在的異常穿透缺口的個數。

4、根據權利要求1所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，單個傳感器采集到的反射激光信號明顯減弱超過一次的次數表明硅片相應面周邊存在異常缺口的個數。

5、根據權利要求1所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，當檢測到硅片周邊異常缺口時，信號處理系統給出報警信號。

6、根據權利要求1至4任一項所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，所述正面激光源、正面傳感器、背面激光源、背面傳感器，安裝在常規硅片對準裝置的檢測槽上下兩面，在硅片對準的同時同步檢查硅片周邊缺口。

7、根據權利要求1至4任一項所述的硅片周邊缺口檢查方法，其特征在于，所述正面激光源、正面傳感器、背面激光源、背面傳感器，安裝在常規宏觀檢查設備上，在對硅片進行常規宏觀檢查的同時檢查硅片周邊缺口。

8、一種硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，包括正面激光源、正面傳感器、背面激光源、背面傳感器、檢測槽、硅片承載部件、信號處理系統，檢測槽內的上面安裝正面激光源和正面傳感器，檢測槽內的下面安裝背面激光源和背面傳感器，正面激光源和背面傳感器、背面激光源和正面傳感器在檢測槽的同一側；硅片承載部件放置待檢測硅片，使部分硅片周邊置于檢測槽內；信號處理系統接收傳感器采集到的光信號，根據硅片旋轉一周正面傳感器、背面傳感器采集到的反射激光信號明顯減弱次數判斷硅片周邊存在的缺口。

9、根據權利要求8所述的硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，激光源光束寬度為3mm到5mm。

10、根據權利要求8所述的硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，當檢測到硅片周邊異常缺口時，信號處理系統發出報警信號。

11、根據權利要求8、9或10所述的硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，所述檢測槽、硅片承載部件為常規硅片對準裝置的檢測槽及承載臺。

12、根據權利要求8、9或10所述的硅片周邊缺口檢查裝置，其特征在于，所述檢測槽安裝在常規宏觀檢查設備上。