[發明專利]校正外延反應腔溫度的方法

有效

• 申請號: 200710094103.9
• 申請日: 2007-09-28
• 公開（公告）號: CN101399163A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 王劍敏;徐偉中
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種校正外延反應腔溫度的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、同時在一批次的硅片上淀積同步摻雜的多晶硅層或非晶硅層，并分別測量每個硅片上多晶硅層或非晶硅層的摻雜量和厚度；

步驟二、在多晶硅層或非晶硅層上淀積低溫等離子體氧化層；

步驟三、用等溫差的多個溫度點，分別對淀積等離子體氧化層后的硅片在外延反應腔中進行退火處理；

步驟四、去除經退火處理后的硅片表面的等離子體氧化層；

步驟五、測量退火處理后多晶硅層或非晶硅層的方塊電阻，并結合多晶硅層或非晶硅層的厚度計算出電阻率；

步驟六、將不同退火溫度下得到的多晶硅層或非晶硅層的電阻率和參考電阻率對比，并運用如下公式：實際偏差溫度＝(退火溫度的平均溫度差/兩個連續的退火溫度下所述多晶硅或非晶硅的電阻率差)×當前測得的電阻率與相同溫度下參考電阻率的差值，計算出實際偏差溫度，以確定校正溫度；

步驟七、在校正溫度后，使用步驟一中同一批次制備的沒經退火處理的硅片，使用所述校正溫度在外延反應腔中進行退火，按上述步驟四至步驟六的流程來檢驗校正后的溫度。

2.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅片在淀積多晶硅層或非晶硅層之前，淀積有氧化硅層。

3.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述多晶硅層或非晶硅層的厚度為

4.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟一中對所述多晶硅層或非晶硅層進行摻雜的摻雜原子為硼、磷和砷中的任一種。

5.按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟一中對所述多晶硅層或非晶硅層進行摻雜的摻雜量為1×10¹⁸～3×10²⁰個原子每立方厘米。