[發明專利]硅外延生長室預處理的方法

無效

• 申請號: 200710094102.4
• 申請日: 2007-09-28
• 公開（公告）號: CN101399162A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 徐偉中;張洪偉;謝煊
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1、一種硅外延生長室預處理的方法，其特征在于：直接在硅外延生長室中模擬后續將要進行外延生長的工藝過程和工藝條件來處理硅外延生長室，直至硅外延生長室達到穩定的狀態。

2、按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述模擬的工藝過程包括外延生長階段模擬和刻蝕清洗階段模擬。

3、按照權利要求1所述的方法，其特征在于：所述工藝條件是指預處理工藝過程中各個步驟的工藝參數。

4、按照權利要求3所述的方法，其特征在于：所述模擬的工藝參數為與即將要進行的外延生長的所對應的各個步驟中工藝參數的70％～130％。

5、按照權利要求4所述的方法，其特征在于：所述工藝參數包括基座溫度、基座的轉動速度、外延室壓力、氣體流量和各個步驟持續時間。