[發明專利]監控閃存擦寫性能的方法

有效

• 申請號: 200710094056.8
• 申請日: 2007-08-31
• 公開（公告）號: CN101377958A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 張會銳;曹剛
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種監控閃存擦寫性能的方法，其特征在于，采用縮緊規格的方法進行擦寫性能測試，包括如下步驟：

(1)在擦寫性能測試程序中設立一個較嚴的規格，使其大于實際使用規格；

(2)對每個測試對象記錄在步驟(1)設立的規格下擦寫1次時失效的擦寫次數和重復擦寫2次仍失效時的擦寫次數；

(3)計算每個測試對象在步驟(2)中兩個記錄的擦寫次數的比值，對該比值進行數據處理，用該比值來監控擦寫性能；所述的對該比值進行數據處理具體為：對該比值做對數正態的分布，并比較該對數正態的分布與基準晶片的分布，比較分布的均值和斜率。

2.如權利要求1所述的監控閃存擦寫性能的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述設立的較嚴的規格為存儲單元電流下降到初始值的75％。

3.如權利要求1所述的監控閃存擦寫性能的方法，其特征在于，所述的比較該對數正態的分布與基準晶片的分布主要通過如下步驟：首先，得到基準晶片的對數正態的分布，提取兩個分布參數均值和斜率，作為以后監控的參考值，根據該分布，確定均值的分布范圍和斜率的分布范圍；然后，得到監控晶片的對數正態的分布，看其均值和斜率是否在上述基準晶片確定的均值和斜率分布范圍內，如果是，則符合基準標準，如果否，則需要繼續分析是否符合基準標準。