[發明專利]局部硅氧化隔離結構的制備方法

有效

• 申請號: 200710093953.7
• 申請日: 2007-07-17
• 公開（公告）號: CN101350327A
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發明（設計）人: 王樂;周曉君
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種局部硅氧化隔離結構的制備方法，其包括硅襯底上生長氧化層和其上生長氮化硅層，光刻刻蝕出需要生長LOCOS的區域，刻蝕出的硅區域氧化生長出一厚氧化硅層，去除硅襯底表面的氮化硅層和氧化層，其特征在于，所述制備方法進一步包括：在去除硅襯底表面的氮化硅層和氧化層后熱生長另一層氧化硅；接著沉積一層硼磷硅玻璃，并進行熱回流處理；最后是刻蝕掉硅表面上所述硼磷硅玻璃和所述氧化硅，形成平坦的硅表面。

2.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的硼磷硅玻璃的厚度為6000～10000。

3.按照權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述的硼磷硅玻璃的熱回流處理工藝為快速熱處理，處理溫度為680～700℃，時間為25～40秒。

4.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述硼磷硅玻璃和氧化硅的刻蝕工藝為濕法刻蝕。