[發(fā)明專利]溝槽型雙層?xùn)殴β蔒OS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710093842.6
• 申請(qǐng)日: 2007-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN101315893A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬清杰;張朝陽(yáng);金勤海
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周赤

1、一種溝槽型雙層?xùn)殴β蔒OS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

(1)在襯底上的外延層中進(jìn)行溝槽的刻蝕，并在所述溝槽側(cè)壁進(jìn)行厚柵氧化層的生長(zhǎng)；

(2)在所述溝槽中淀積第一層多晶硅，使所述第一層多晶硅填滿整個(gè)溝槽，并高出所述溝槽上表面；

(3)第一層多晶硅的反刻，所述第一層多晶硅的反刻利用厚柵氧化層作為刻蝕的終止層，先采用于法刻蝕工藝和多晶硅對(duì)氧化層選擇比高的刻蝕條件，將第一層多晶硅主刻蝕至厚柵氧化層表面，而后用相同工藝的過刻蝕所述的第一層多晶硅至溝槽內(nèi)，以避免第一層多晶硅在厚柵氧化層上殘留，最后使用各向同性的刻蝕工藝將溝槽內(nèi)的第一層多晶硅刻蝕至要求的剩余厚度，并削平第一層多晶硅表面；

(4)采用濕法刻蝕工藝，將沒有被所述第一層多晶硅覆蓋的溝槽側(cè)壁厚柵氧化層的部分剝離；

(5)在所述溝槽中的所述第一層多晶硅上淀積高密度等離子體氧化膜，使所淀積的高密度等離子體氧化膜填滿第一層多晶硅上的溝槽部分，并高出溝槽的上表面；

(6)對(duì)所述高密度等離子體氧化膜進(jìn)行濕法刻蝕工藝，使第一層多晶硅上的高密度等離子體氧化膜剩余1000埃的厚度；

(7)生長(zhǎng)犧牲氧化層，再將其剝離，然后在高密度等離子體氧化膜上面的溝槽側(cè)壁上、以及外延層的上表面上生長(zhǎng)薄柵氧化層；

(8)在溝槽內(nèi)的高密度等離子體氧化膜上面淀積第二層多晶硅，使所淀積的第二層多晶硅填滿高密度等離子體氧化膜之上的溝槽部分，并高出溝槽的上表面；

(9)第二層多晶硅反刻，所述第二層多晶硅的反刻利用薄柵氧化層作為刻蝕的終止層，采用干法刻蝕工藝和多晶硅對(duì)氧化層選擇比高的刻蝕條件，先將第二層多晶硅主刻蝕至薄柵氧化層表面，后用相同的工藝過刻蝕所述的第二層多晶硅至溝槽內(nèi)，以避免第二層多晶硅在薄柵氧化層上殘留；

(10)第二層多晶硅光刻，將需接地的第一層多晶硅上的第二層多晶硅刻蝕掉；

(11)溝道體，源區(qū)的形成；

(12)接觸孔、金屬、鈍化層形成。

2、按照權(quán)利要求1所述的溝槽型雙層?xùn)殴β蔒OS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于：所述步驟(1)中溝槽的刻蝕為90度刻蝕工藝；所述步驟(2)中第一層多晶硅的淀積工藝為：先淀積不摻雜的多晶硅，后對(duì)所述多晶硅進(jìn)行磷摻雜。