[發明專利]改善物理濺射工藝穩定性的方法

無效

• 申請號: 200710093841.1
• 申請日: 2007-05-30
• 公開（公告）號: CN101314843A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 王海軍;方精訓;謝煊;季芝慧
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種改善物理濺射工藝穩定性的方法，其特征在于，在去水蒸氣化腔之后通過運送腔連接多個濺射腔，進行濺射工藝的芯片在所述去水蒸氣化腔內進行去水蒸氣工藝，之后進入所述運送腔，所述運送腔按照先進先出的原則依次將所述運送腔中的晶片運送至空閑的濺射腔中，之后由濺射腔對晶片進行濺射工藝；去水蒸氣工藝時間為A，從去水蒸氣工藝結束到運送至濺射腔的時間為B，濺射工藝的時間為C，從濺射工藝結束到運送至冷卻腔的時間為D，所述濺射腔的數量為n，則需要滿足n×(A+B)＞C+D。

2.根據權利要求1所述的改善物理濺射工藝穩定性的方法，其特征在于，通過調整從去水蒸氣工藝結束到運送至濺射腔的時間B，來滿足n×(A+B)＞C+D。

3.根據權利要求1所述的改善物理濺射工藝穩定性的方法，其特征在于，通過調整濺射工藝的時間C，來滿足n×(A+B)＞C+D。

4.根據權利要求1所述的改善物理濺射工藝穩定性的方法，其特征在于，通過調整從濺射工藝結束到運送至冷卻腔的時間D，來滿足n×(A+B)＞C+D。

5.根據權利要求1所述的改善物理濺射工藝穩定性的方法，其特征在于，通過增加所述濺射腔的數量為n，來滿足n×(A+B)＞C+D。

6.根據權利要求1所述的改善物理濺射工藝穩定性的方法，其特征在于，所述從去水蒸氣工藝結束到運送至濺射腔的時間B介于0.5分鐘至5分鐘，以滿足方塊電阻和電阻率的要求。