[發明專利]相變存儲裝置及其制造方法和操作方法

無效

• 申請號: 200710093282.4
• 申請日: 2007-12-19
• 公開（公告）號: CN101286522A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 崔赫洵;許智賢;姜閏浩;李孝錫;申在光;吳在浚
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L21/82;G11C11/56;G11C16/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種相變存儲裝置，包括：

開關裝置，和

與該開關裝置連接的存儲節點；其中

該存儲節點包括：

底部疊層，

設置在底部疊層上的相變層，和

設置在相變層上的頂部疊層，其中

該相變層包括電流通路增加單元，其配置用于增加流經相變層的電流的通路。

2.根據權利要求1的相變存儲裝置，其中設置在底部疊層上的電流通路增加單元的表面面積大于或等于與相變層的表面接觸的底部疊層的表面面積。

3.根據權利要求2的相變存儲裝置，其中所述電流通路增加單元是具有比相變層的非晶區域更低導電率的材料層。

4.根據權利要求3的相變存儲裝置，其中所述材料層是絕緣層和導電層的其中一個。

5.根據權利要求3的相變存儲裝置，其中所述材料層包括垂直堆積并且彼此分隔的多個材料層。

6.根據權利要求5的相變存儲裝置，其中至少一部分所述材料層的寬度是不同的。

7.根據權利要求5的相變存儲裝置，進一步包括，

至少兩個材料層，所述至少兩個材料層的每個材料層具有比相變層的非晶區域低的導電率，其中

所述至少兩個材料層被設置在一個平面上并且在下面的材料層上方分隔開。

8.根據權利要求1的相變存儲裝置，其中所述頂部疊層包括順序堆疊的粘合層和頂部電極。

9.根據權利要求1的相變存儲裝置，其中配置在所述底部疊層上的相變層包括溝槽，該相變存儲裝置進一步包括，

形成在溝槽中的材料層，其中

所述頂部疊層設置在相變層和材料層上，

所述材料層具有的面積大于或等于與相變層接觸的底部疊層表面的面積，和

所述材料層具有比相變層的非晶區域低的導電率。

10.根據權利要求9的相變存儲裝置，其中所述材料層是絕緣層或導電層。

11.根據權利要求9的相變存儲裝置，進一步包括，與材料層分隔設置的圓柱形材料層，所述圓柱形材料層圍繞所述底部疊層和所述材料層的表面，所述圓柱形材料層具有比相變層的非晶區域低的導電率。

12.根據權利要求11的相變存儲裝置，其中形成在所述溝槽中的材料層延伸超出所述圓柱形材料層。

13.根據權利要求11的相變存儲裝置，其中所述圓柱形材料層具有和形成在所述溝槽中的材料層不同的導電率。

14.根據權利要求11的相變存儲裝置，其中所述材料層是絕緣層或導電層。

15.一種用于制造相變存儲裝置的方法，該方法包括：

形成連接開關裝置的存儲節點，該存儲節點的形成包括，

在絕緣夾層上形成第一相變層，所述第一相變層形成來覆蓋底部電極接觸層的暴露表面，

在第一相變層的第一區域上形成第一材料層，所述第一材料層形成來覆蓋所述底部電極接觸層的暴露表面，第一材料層具有比第一相變層的非晶區域低的導電率，及

在第一相變層上形成第二相變層，所述第二相變層形成為覆蓋第一材料層。

16.根據權利要求15的方法，其中第一材料層是絕緣層或導電層。

17.根據權利要求15的方法，進一步包括，

在第二相變層上形成第二材料層，和

在第二相變層上形成第三相變層，第三相變層覆蓋第二材料層，其中

第二材料層具有的導電率低于第一、第二和第三相變層的每一個。

18.根據權利要求17的方法，其中第二材料層形成為包括至少兩個部分，所述至少兩個部分形成為彼此分隔，在第一材料層上的至少兩個部分之間留下間隔。

19.根據權利要求17的方法，其中第二材料層形成為具有的面積大于或等于第一材料層的面積。

20.根據權利要求17的方法，其中第一和第二材料層具有相同的導電率。

21.根據權利要求17的方法，其中第二材料層是絕緣層或導電層。