[發(fā)明專利]具有擴(kuò)散層PVD軸瓦的生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710093218.6
• 申請(qǐng)日: 2007-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN101216071A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 冀慶康;唐太平;吳文俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶躍進(jìn)機(jī)械廠
• 主分類號(hào): F16C33/14
• 分類號(hào): F16C33/14;F16C33/12;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14
• 代理公司: 重慶市前沿專利事務(wù)所
• 代理人: 郭云

1.一種具有擴(kuò)散層PVD軸瓦的生產(chǎn)方法，包括濺前處理、軸瓦裝入夾具、濺射艙抽真空、濺射鎳柵層(4)、濺射鋁合金減摩層(6)、檢查尺寸及外觀，其特征在于：在所述濺射艙抽真空與濺射鎳柵層(4)之間增設(shè)磁控濺射的第一擴(kuò)散層(3)；在所述濺射鎳柵層(4)之與濺射鋁合金減摩層(6)之間增設(shè)磁控濺射的第二擴(kuò)散層(5)；

所述磁控濺射第一擴(kuò)散層(3)的工藝條件：PVD軸瓦基體在抽真空的濺射艙內(nèi)，參與互濺的基體襯里層(1)為CuPbSn，采用純度為99.99％的鎳靶，對(duì)PVD軸瓦基體通電，PVD軸瓦基體負(fù)偏壓為-300～-1700伏；PVD軸瓦基體電流為0.5～2安培；對(duì)鎳靶通電，鎳靶通負(fù)電壓為-200～-620伏；鎳靶電流為0.3～1安培；基體襯里層(1)與鎳靶互濺處理時(shí)間為3～40分鐘；最后第一擴(kuò)散層(3)各組分重量百分比如下：Cu?0～5％；CuPb?2～5％；CuPbSn?5～10％；CuNi?10～30％；CuPbSnNi?3～15％；CuPbNi余量；

所述磁控濺射第二擴(kuò)散層(5)的工藝條件：覆蓋有鎳柵層(4)的PVD軸瓦基體在抽真空的濺射艙內(nèi)，參與互濺的鎳柵層(4)為Ni，采用純度為99.2％的鋁錫銅合金靶，該鋁錫銅合金中錫的重量百分含量：16～24％；銅的重量百分含量：0.6～1.5％；其余為鋁的重量百分含量，對(duì)PVD軸瓦基體通電，PVD軸瓦基體負(fù)偏壓：-150～-1600伏；PVD軸瓦基體電流為0.3～2安培；對(duì)鋁錫銅合金靶通電，鋁錫銅合金靶負(fù)電壓：-150～-600伏；鋁錫銅合金靶電流：0.2～1安培；鎳柵層(4)與鋁錫銅合金靶互濺處理時(shí)間：2～30分鐘；最后第二擴(kuò)散層(5)各組分重量百分比如下：Ni?0～3％；Ni₃Al?2～15％；NiAl?5～10％；Al₃Ni₂?10～30％；Al?10～20％；NiAlSnCu?0～15％；AlSnCu?10～25％；AlSn余量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有擴(kuò)散層PVD軸瓦的生產(chǎn)方法，其特征在于：所述磁控濺射第一擴(kuò)散層(3)的工藝條件：所述PVD軸瓦基體負(fù)偏壓為-1000～-1600伏；PVD軸瓦基體電流為1～1.5安培；鎳靶通負(fù)電壓為-200～-300伏；鎳靶電流為0.3～0.5安培；基體襯里層(1)與鎳靶互濺處理時(shí)間為3～15分鐘；最后第一擴(kuò)散層(3)各組分重量百分比如下：Cu?0～5％；CuPb?2～5％；CuPbSn?5～10％；CuNi?10～30％；CuPbSnNi?3～15％；CuPbNi余量；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有擴(kuò)散層PVD軸瓦的生產(chǎn)方法，其特征在于：所述磁控濺射第二擴(kuò)散層(5)的工藝條件：PVD軸瓦基體負(fù)偏壓：-150～-300伏；PVD軸瓦基體電流為1～2安培；鋁錫銅合金靶負(fù)電壓：-180～-250伏；鋁錫銅合金靶電流：0.2～0.5安培；鎳柵層(4)與鋁錫銅合金靶互濺處理時(shí)間：2～10分鐘；最后第二擴(kuò)散層(5)各組分重量百分比如下：Ni?0～3％；Ni₃Al2～15％；NiAl?5～10％；Al₃Ni₂?10～30％；Al?10～20％；NiAlSnCu?0～15％；AlSnCu?10～25％；AlSn余量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有擴(kuò)散層PVD軸瓦的生產(chǎn)方法，其特征在于：所述磁控濺射第一擴(kuò)散層(3)和第二擴(kuò)散層(5)時(shí)濺射艙內(nèi)溫度為50～98℃；工作氣體氬氣分壓為0.4～1Pa。