[發明專利]水霧介質下高溫鑄坯表面溫度的測量方法

無效

• 申請號: 200710093063.6
• 申請日: 2007-11-28
• 公開（公告）號: CN101162171A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 陳登福;龍木軍;張健;高文星;溫良英;歐陽奇;廖琪
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: G01J5/02
• 分類號: G01J5/02;G01J5/06;G01N15/00;G01N15/06;B22D11/16;B22D2/00
• 代理公司: 重慶博凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 李海華

1.水霧介質下高溫鑄坯表面溫度的測量方法，其特征在于：它包括如下步驟：

①、在實驗室建立試驗的物理模型，模擬出輻射能通過水霧介質時水霧濃度c與衰減系數K_λ之間的關系曲線；

②、根據水霧濃度c與衰減系數K_λ之間的關系曲線建立衰減系數K_λ與水霧濃度c的函數關系；

③、在生產現場二冷鑄坯表面溫度測試過程中，通過非接觸式測溫儀和水霧濃度傳感器分別測得高溫鑄坯表面的測試溫度T_測和水霧濃度c；

④、在第③步獲得的水霧濃度c基礎上，由步驟②得到的衰減系數K_λ與水霧濃度c的函數關系可求得衰減系數K_λ；

⑤、利用該衰減系數K_λ對上述得到的測試溫度T_測進行修正從而得到水霧介質下鑄坯表面的真實溫度。

2.根據權利要求1所述的水霧介質下高溫鑄坯表面溫度的測量方法，其特征在于：所述第①步水霧濃度c與衰減系數K_λ之間的關系曲線是通過如下方法建立的：在實驗室建立試驗的物理模型，通過三維激光顆粒動態分析儀檢測水霧介質濃度和水霧粒子的粒徑分布，結合試樣的真實溫度和采用非接觸式測溫儀的測試溫度，模擬出試樣輻射能通過水霧介質時水霧濃度c與衰減系數K_λ之間的關系曲線。

3.根據權利要求1或2所述的水霧介質下高溫鑄坯表面溫度的測量方法，其特征在于：利用上述衰減系數K_λ對測試溫度T_測進行修正的同時結合鑄坯表面氧化膜的發射率ε對測試溫度T_測共同進行修正。