[發明專利]納米結構體的制造方法有效
| 申請號: | 200710092363.2 | 申請日: | 2007-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN101074486A | 公開(公告)日: | 2007-11-21 |
| 發明(設計)人: | 富田忠文;鈴木信也 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | C25D11/04 | 分類號: | C25D11/04;C25D11/08;C25F5/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 結構 制造 方法 | ||
1.一種結構體的制造方法,包括:通過將具有鋁基板和在上述鋁基板表面上存在的陽極氧化被膜的鋁部件作為陰極實施電解,使上述陽極氧化被膜和上述鋁基板剝離,得到由陽極氧化被膜構成的結構體的剝離工序;其中,
在上述剝離工序中,按照使電流流過上述陽極氧化被膜的表面的方式實施上述電解。
2.根據權利要求1所述的結構體的制造方法,在上述剝離工序中,按照使電流僅流過上述陽極氧化被膜的表面的方式實施上述電解。
3.根據權利要求2所述的結構體的制造方法,在上述剝離工序中,在使電解液接觸上述陽極氧化被膜的表面、同時使電解液不接觸上述陽極氧化被膜的側面和上述鋁基板的狀態下實施上述電解。
4.4根據權利要求1~3中任意一項所述的結構體的制造方法,在上述剝離工序中,在電流值成為0.1A/dm2以下的時點之后,結束上述電解。
5.一種由在表面具有帶有微孔的陽極氧化被膜的鋁基板構成的結構體的制造方法,包括:通過將具有鋁基板和在上述鋁基板表面上存在的陽極氧化被膜的鋁部件作為陰極實施電解來使上述陽極氧化被膜和上述鋁基板剝離,得到由具有多個凹坑的鋁基板構成的結構體的剝離工序;
對具有上述多個凹坑的鋁基板實施陽極氧化處理,得到由在表面具有帶有微孔的陽極氧化被膜的鋁基板構成的結構體的陽極氧化處理工序;其中,
在上述剝離工序中,按照使電流流過上述陽極氧化被膜的表面的方式實施上述電解。
6.根據權利要求5所述的結構體的制造方法,在上述剝離工序中,按照使電流僅流過上述陽極氧化被膜的表面的方式實施上述電解。
7.根據權利要求6中所述的結構體的制造方法,在上述剝離工序中,在使電解液接觸上述陽極氧化被膜的表面、同時使電解液不接觸上述陽極氧化被膜的側面和上述鋁基板的狀態下實施上述電解。
8.根據權利要求5~7中任意一項所述的結構體的制造方法,在上述剝離工序中,在電流值成為0.1A/dm2以下的時點之后,結束上述電解。
9.根據權利要求5~7中任意一項所述的結構體的制造方法,還包括:在上述陽極氧化處理工序之后,對由在表面具有帶有上述微孔的陽極氧化被膜的鋁基板構成的結構體實施化學溶解處理的化學溶解處理工序。
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