[發明專利]使用自對準處理制造的相變存儲器

無效

• 申請號: 200710092323.8
• 申請日: 2007-03-02
• 公開（公告）號: CN101051646A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: U·G·馮施維林;T·哈普
• 申請（專利權）人: 奇夢達股份公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;G11C11/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;魏軍

1.一種存儲器，包括：

晶體管，按行和列排列以形成陣列；

導電線，跨過所述陣列按列排列；和

相變元件，與所述導電線接觸并與所述導電線自對準，每個相變元件連接到晶體管的源-漏極通路的一側。

2.如權利要求1所述的存儲器，進一步包括：

地線，跨過所述陣列按行排列，每條地線連接到每行中的晶體管的源-漏極通路的另一側；

其中所述導電線是位線。

3.如權利要求1所述的存儲器，進一步包括：

字線，跨過所述陣列按行排列，每條字線連接到每行中晶體管的柵極。

4.如權利要求1所述的存儲器，其中該存儲器可縮放成6F²，其中“F”是最小特征尺寸。

5.如權利要求1所述的存儲器，其中該存儲器可縮放成8F²，其中“F”是最小特征尺寸。

6.一種存儲器，包括：

晶體管，按行和列排列以形成陣列；

導電線，跨過所述陣列按列排列；和

相變材料，跨過所述陣列按列排列并提供存儲位置，該相變材料與所述導電線接觸并與所述導電線自對準，每個存儲位置連接到晶體管的源-漏極通路的一側。

7.如權利要求6所述的存儲器，進一步包括：

地線，跨過所述陣列按行排列，每條地線連接到每行中晶體管的源-漏極通路的另一側；

其中所述導電線是位線。

8.如權利要求6所述的存儲器，進一步包括：

字線，跨過所述陣列按行排列，每條字線連接到每行中的晶體管的柵極。

9.如權利要求6所述的存儲器，其中該存儲器可縮放成6F²，其中“F”是最小特征尺寸。

10.如權利要求6所述的存儲器，其中該存儲器可縮放成8F²，其中“F”是最小特征尺寸。

11.一種制造存儲器的方法，該方法包括：

提供按行和列排列的晶體管的陣列；

提供跨過所述陣列按列排列的導電線；和

提供相變元件，所述相變元件與所述導電線接觸并與所述導電線自對準，每個相變元件連接到晶體管的源-漏極通路的一側。

12.如權利要求11所述的方法，進一步包括：

提供跨過所述陣列按行排列的地線，每條地線連接到每行中晶體管的源-漏極通路的另一側；

其中提供所述導電線包括提供位線。

13.如權利要求11所述的方法，進一步包括：

提供跨過所述陣列按行排列的字線，每條字線連接到每行中晶體管的柵極。

14.一種制造存儲器的方法，該方法包括：

提供包括多個第一接觸的經預處理的晶片；

在該經預處理的晶片上沉積介電材料層；

在該介電材料層中蝕刻溝槽以暴露所述第一接觸；

在該介電材料層和經預處理的晶片的暴露部分上沉積相變材料層；

在該相變材料層上沉積電極材料層；

蝕刻該電極材料層和相變材料層，以形成導電線和與所述導電線自對準的相變材料，所述相變材料提供與第一接觸相接觸的存儲位置。

15.如權利要求14所述的方法，進一步包括：

過蝕刻所述第一接觸以提供與所述導電線自對準的第一接觸部分。

16.如權利要求14所述的方法，進一步包括：

底切蝕刻所述相變材料以提供存儲位置。

17.如權利要求14所述的方法，進一步包括：

在所述經預處理的晶片上沉積襯墊材料層；

其中蝕刻溝槽包括蝕刻該襯墊材料層以暴露所述第一接觸。

18.如權利要求14所述的方法，其中提供所述經預處理的晶片包括提供包括晶體管、第二接觸和地線的經預處理的晶片，每個晶體管的源-漏極通路連接在第一接觸和第二接觸之間，每個第二接觸連接到地線。