[發(fā)明專利]具有楔形電阻性尖端的半導(dǎo)體探針及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710092110.5
• 申請(qǐng)日: 2007-04-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101159171A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高亨守;丁柱煥;洪承范;樸弘植;樸哲民
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G12B21/02
• 分類號(hào): G12B21/02;G11B9/02;G11B9/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張波

1.一種半導(dǎo)體探針，包括：

摻雜有第一雜質(zhì)的電阻性尖端，具有摻雜有極性與所述第一雜質(zhì)相反的低濃度的第二雜質(zhì)的電阻區(qū)，并在所述電阻性尖端的兩側(cè)斜面上具有摻雜有高濃度的第二雜質(zhì)的第一和第二半導(dǎo)體電極區(qū)；和

懸臂，在其邊緣上具有所述電阻性尖端，其中所述電阻性尖端的端部具有楔形。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探針，其中在所述電阻性尖端的楔形的長(zhǎng)度方向的端部包括位于所述端部的中心部分的所述電阻區(qū)和形成在所述電阻區(qū)兩側(cè)上的所述第一和第二半導(dǎo)體電極區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體探針，其中所述電阻性尖端的端部具有20nm到2μm的長(zhǎng)度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探針，其中所述第一雜質(zhì)是p型雜質(zhì)且所述第二雜質(zhì)是n型雜質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探針，其中所述第一雜質(zhì)是n型雜質(zhì)且所述第二雜質(zhì)是p型雜質(zhì)。

6.一種具有楔形電阻性尖端的半導(dǎo)體探針的制造方法，包括：

提供摻雜第一雜質(zhì)的硅襯底和在所述硅襯底的上表面上的掩模層；

在所述掩模層上形成條紋形光致抗蝕劑，并通過(guò)使用所述條紋形光致抗蝕劑作為掩模來(lái)蝕刻所述掩模層而形成具有第一寬度的條紋形第一掩模；

通過(guò)摻雜第二雜質(zhì)在所述硅襯底上除了被第一掩模覆蓋的區(qū)域之外的區(qū)域上形成第一和第二半導(dǎo)體電極區(qū)，所述第二雜質(zhì)具有與第一雜質(zhì)相反的極性；

通過(guò)退火所述硅襯底在所述第一和第二半導(dǎo)體電極區(qū)之間形成摻雜低濃度第二雜質(zhì)的電阻區(qū)；

通過(guò)構(gòu)圖所述第一掩模形成具有第一寬度和第二寬度的矩形第二掩模；

通過(guò)蝕刻除了被所述矩形第二掩模覆蓋的硅襯底的部分的所述硅襯底而在所述硅襯底的上部分上形成楔形電阻性尖端；和

通過(guò)蝕刻所述硅襯底的下部分形成懸臂，從而所述電阻性尖端能夠位于所述懸臂的邊緣上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述矩形第二掩模包括構(gòu)圖具有大于所述第二寬度的第一寬度的第一掩模。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一寬度比第二寬度大10到50％。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一寬度是30nm到2μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述矩形第二掩模包括形成與第一掩模垂直并交叉的具有第二寬度的條紋形光致抗蝕劑，并使用具有第二寬度的條紋形光致抗蝕劑作為掩模蝕刻所述第一掩模。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在所述電阻性尖端的楔形的長(zhǎng)度方向的端部包括在所述端部的中心部分的電阻區(qū)和形成在所述電阻區(qū)兩側(cè)上的第一和第二半導(dǎo)體電極區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中形成所述楔形電阻性尖端還包括退火所述硅襯底使得所述第一和第二半導(dǎo)體電極區(qū)之間的電阻區(qū)接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一雜質(zhì)是p型雜質(zhì)且第二雜質(zhì)是n型雜質(zhì)。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一雜質(zhì)是n型雜質(zhì)且所述第二雜質(zhì)是p型雜質(zhì)。